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J-GLOBAL ID：202202245530809361   整理番号：22A0096862

Yb_2O_3ドーピングによる低温焼結PNN-PMW-PZTセラミックにおける強化された電気特性【JST・京大機械翻訳】

Enhanced electrical properties in low-temperature sintering PNN - PMW -PZT ceramics by Yb₂O₃ doping

著者 (6件)： Chen Hao (College of Materials Science and Engineering, Sichuan University, Chengdu 610064, China) ,  Pu Tao (College of Materials Science and Engineering, Sichuan University, Chengdu 610064, China) ,  Fan Shibo (College of Materials Science and Engineering, Sichuan University, Chengdu 610064, China) ,  Liu Hong (College of Materials Science and Engineering, Sichuan University, Chengdu 610064, China) ,  Zhu Jianguo (College of Materials Science and Engineering, Sichuan University, Chengdu 610064, China) ,  Chen Qiang (College of Materials Science and Engineering, Sichuan University, Chengdu 610064, China)
資料名： Materials Research Bulletin  (Materials Research Bulletin)
巻： 146  ページ： Null  発行年： 2022年 
JST資料番号： B0954A  ISSN： 0025-5408  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 低温(900°C)焼結PNN-PMW-PZTセラミックを固相反応法で調製した。種々のYb_2O_3含有量を添加した試料を相構造,微細構造,誘電特性,圧電特性および強誘電特性に関して比較した。正方晶と菱面体晶相は試料中に共存した。正方晶相含有量(TPC)は,Yb_2O_3ドーピング量が増加するにつれて,最初に増加し,次に減少した。Yb_2O_3ドーピングは試料の電気的性質を高めることができる。Yb_2O_3のないセラミックは322pC/Nのd_33のみを有し,一方0.10mol%Yb_2O_3をドープしたセラミックは最大の正方晶相含有量および623pC/Nの最大d_33を有していた。Yb_2O_3ドーピングと電気的性質の間の関係も議論した。Copyright 2022 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 強誘電体 ,  固相反応 ,  *焼結 ,  *セラミック ,  *低温 ,  電気的性質 ,  誘電性 ,  強誘電性 ,  *ドーピング ,  *電気特性 ,  三方晶系 ,  正方晶系
準シソーラス用語： 圧電特性 ,  誘電応答 ,  *低温焼結 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 圧電性 ,  強誘電体 ,  誘電応答 ,  セラミック

分類 (3件)： 金属酸化物及び金属カルコゲン化物の結晶構造  (BK07020Y) ,  塩基,金属酸化物  (CD01030Z) ,  無機化合物のルミネセンス  (BM08093J)

タイトルに関連する用語 (6件)： ドーピング ,  低温焼結 ,  PZT ,  セラミック ,  強化 ,  電気特性