文献
J-GLOBAL ID:202202245669949476   整理番号:22A0855725

CH_3NH_3PbI_3ペロブスカイト薄膜の線形および非線形特性に及ぼすセシウムドーピングと反溶媒の影響【JST・京大機械翻訳】

Effect of cesium doping and antisolvent on the linear and nonlinear characteristics of CH3NH3PbI3 perovskite thin films
著者 (7件):
資料名:
巻: 54  号:ページ: 180  発行年: 2022年 
JST資料番号: A0205A  ISSN: 0306-8919  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: ドイツ (DEU)  言語: 英語 (EN)
抄録/ポイント:
抄録/ポイント
文献の概要を数百字程度の日本語でまとめたものです。
部分表示の続きは、JDreamⅢ(有料)でご覧頂けます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
セシウム(Cs)ドープメチルアンモニウム鉛ヨウ化物薄膜(MA_1-xCs_xPbI_3,x=0,0.03,0.05,0.1)を乾燥空気雰囲気中でスピンコート法を用いて形成した。膜の結晶性に及ぼすCsドーピングとクロロベンゼン(CB)の影響をX線回折法を用いて調べた。薄膜の透過率,反射率,吸収係数,皮膚深さ,実数部および虚数部に及ぼす膜調製時のドープCs量およびCB添加の影響,および膜の光ルミネセンス発光を調べた。膜の屈折率は,スペクトルの異なる部分で正常で異常な分散を示した。膜の光学バンドギャップはCsドーピング量に依存した。CBなしで調製した膜の光学バンドギャップはCBで形成された対応する膜のそれよりも少なかった。表面エネルギー損失関数と体積エネルギー損失関数は類似の挙動を示し,そこでは,材料中で移動する電子によって失われるエネルギーは,表面上で移動する電子によって失われるエネルギーより高かった。10%Cs(CB無し)または5%Cs(CB)をドープした薄膜では非線形光学挙動が向上した。全試料のDC-暗伝導率測定も行った。Copyright The Author(s), under exclusive licence to Springer Science+Business Media, LLC, part of Springer Nature 2022 Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ(有料)でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。

準シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ(有料)でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
, 【Automatic Indexing@JST】
分類 (2件):
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
半導体薄膜  ,  光物性一般 

前のページに戻る