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J-GLOBAL ID：202202245721468458   整理番号：22A0467625

誘電体ナノアンテナアレイによる単層半導体の指向性放出の操作【JST・京大機械翻訳】

Manipulating the directional emission of monolayer semiconductors by dielectric nanoantenna arrays

著者 (14件)： Liu Pengbo (School of Optoelectronic Science and Engineering & Collaborative Innovation Center of Suzhou Nano Science and Technology, Soochow University, Suzhou 215006, People’s Republic of China) ,  Liu Pengbo (Key Lab of Advanced Optical Manufacturing Technologies of Jiangsu Province & Key Lab of Modern Optical Technologies of Education Ministry of China, Soochow University, Suzhou 215006, People’s Republic of China) ,  Zhang Zhenghe (School of Optoelectronic Science and Engineering & Collaborative Innovation Center of Suzhou Nano Science and Technology, Soochow University, Suzhou 215006, People’s Republic of China) ,  Zhang Zhenghe (Key Lab of Advanced Optical Manufacturing Technologies of Jiangsu Province & Key Lab of Modern Optical Technologies of Education Ministry of China, Soochow University, Suzhou 215006, People’s Republic of China) ,  Lang Man (School of Optoelectronic Science and Engineering & Collaborative Innovation Center of Suzhou Nano Science and Technology, Soochow University, Suzhou 215006, People’s Republic of China) ,  Lang Man (Key Lab of Advanced Optical Manufacturing Technologies of Jiangsu Province & Key Lab of Modern Optical Technologies of Education Ministry of China, Soochow University, Suzhou 215006, People’s Republic of China) ,  Lu Wanli (School of Materials Science and Physics, China University of Mining and Technology, Xuzhou 221116, People’s Republic of China) ,  Bai Ping (Department of Applied Physics and Institute for Photonic Integration, Eindhoven University of Technology, Eindhoven, The Netherlands) ,  Chen Zefeng (School of Optoelectronic Science and Engineering & Collaborative Innovation Center of Suzhou Nano Science and Technology, Soochow University, Suzhou 215006, People’s Republic of China) ,  Chen Zefeng (Key Lab of Advanced Optical Manufacturing Technologies of Jiangsu Province & Key Lab of Modern Optical Technologies of Education Ministry of China, Soochow University, Suzhou 215006, People’s Republic of China) ,  Wang Shaojun (School of Optoelectronic Science and Engineering & Collaborative Innovation Center of Suzhou Nano Science and Technology, Soochow University, Suzhou 215006, People’s Republic of China) ,  Wang Shaojun (Key Lab of Advanced Optical Manufacturing Technologies of Jiangsu Province & Key Lab of Modern Optical Technologies of Education Ministry of China, Soochow University, Suzhou 215006, People’s Republic of China) ,  Li Xiaofeng (School of Optoelectronic Science and Engineering & Collaborative Innovation Center of Suzhou Nano Science and Technology, Soochow University, Suzhou 215006, People’s Republic of China) ,  Li Xiaofeng (Key Lab of Advanced Optical Manufacturing Technologies of Jiangsu Province & Key Lab of Modern Optical Technologies of Education Ministry of China, Soochow University, Suzhou 215006, People’s Republic of China)
資料名： Journal of Optics  (Journal of Optics)
巻： 24  号： 2  ページ： 024005 (8pp)  発行年： 2022年 
JST資料番号： D0538C  ISSN： 2040-8978  CODEN： JOOPCA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： シリコン(Si)ナノ粒子アレイ(NPAs)における衝突Mie共鳴は,大きな面積に広がる低吸収損失と強磁場増強を特徴とする。それらは単層半導体の発光特性を操作する高効率スキームを提供する。しかし,現在の報告されたSi NPAの貧弱な品質因子は,発光素子の性能を制限する。それは主に非晶質または多結晶Siであるナノ粒子の構成材料に起因し,それは可視バンド間の単結晶シリコン(c-Si)と比較してより高い吸収係数を有する。この招いた論文は,c-Si NPA上に原子層を統合するための多目的技術を実証する。この方法が単層試料を完全に保存できることを示した。さらに,後方焦点面イメージングと相反性シミュレーションを結合することによって,異なる直径のNPAによって調整した方向発光を研究した。NPAsの幾何学パラメータの柔軟な調整は,それらのフォトニック環境をエンジニアリングすることにより,単層半導体からの発光を制御し,操作する多くの可能性を提供する。Please refer to the publisher for the copyright holders. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 幾何学 ,  吸収係数 ,  シミュレーション ,  発光 ,  *半導体 ,  *誘電体 ,  非晶質 ,  画像処理 ,  強磁場 ,  ナノ粒子 ,  ポリシリコン
準シソーラス用語： 高効率 ,  品質因子 ,  発光特性 ,  発光素子 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： 固体プラズマ  (BM02160W) ,  太陽電池  (NC03084O) ,  光物性一般  (BM08010A)

タイトルに関連する用語 (5件)： 誘電体 ,  アンテナアレイ ,  単層 ,  指向性 ,  放出