文献

J-GLOBAL ID：202202245822902091   整理番号：22A0396689

高電圧シリコンオンインシュレータ横方向二重拡散MOSFETにおける高フルエンス中性子照射により誘起された出力電流のカットオフ劣化【JST・京大機械翻訳】

Cut-Off Degradation of Output Current Induced by High Fluence Neutron Radiation in High-Voltage Silicon-on-Insulator Lateral Double-Diffused MOSFET

著者 (6件)： Wang Ruidi (State Key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu, China) ,  Qiao Ming (State Key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu, China) ,  Wang Yibing (State Key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu, China) ,  Zhou Xin (State Key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu, China) ,  Li Zhaoji (State Key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu, China) ,  Zhang Bo (State Key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu, China)
資料名： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)
巻： 43  号： 1  ページ： 108-111  発行年： 2022年 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： このレターでは,高電圧シリコンオンインシュレータ横方向二重拡散MOSFET(HVSOI LDMOS)に対して,高フルエンス中性子放射により誘起された出力電流の新しいカットオフ劣化を調べた。低/中フルエンスと異なり,低ドレイン電圧で激しい電流崩壊が生じた。実験とエネルギーバンド解析を組み合わせて,二次電荷除去効果がカットオフ劣化をもたらし,これは高中性子フルエンスでの磁場増強と高密度欠陥に密接に関連していることを明らかにした。ゲートチャネルは,放射後,ドレイン閾値電圧(V_DT)以下で,低フルエンスでの大域的影響よりも,低いトラップ占有速度を有する局所空間電荷領域に起因するポテンシャル障壁によってブロックされる。さらに,カットオフ劣化とV_DTに対する構造パラメータの影響を調べ,HVSOI LDMOSのrad硬化設計を導いた。Copyright 2022 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 磁場 ,  *中性子 ,  *中性子照射 ,  電荷 ,  *電流 ,  ポテンシャル障壁 ,  空乏層 ,  中性子フルエンス ,  チャネル ,  構造パラメータ ,  *フルエンス
準シソーラス用語： LDMOS ,  高密度 ,  カットオフ ,  ドレイン電圧 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (7件)： 高電圧 ,  シリコンオンインシュレータ ,  フルエンス ,  中性子照射 ,  誘起 ,  出力電流 ,  カットオフ