抄録/ポイント:
抄録/ポイント
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伝統的な高電子移動度トランジスタ(Highelectronmobilitytransistor,HEMT)の非線形I-Vモデルに対して、パルスI-Vデータ、直流I-Vデータによる構築の現状が必要である。データ処理に基づく新しい方法を提案し,DCI-Vデータのデータ処理によりラフモデルを作成し,遺伝的アルゴリズムを用いて最適化し,完全HEMTデバイスの非線形I-Vモデルを構築した。上述の方法はAngelovモデルに基づいており、操作が簡単で、大量のパルスI-Vテストの時間を節約し、確立したモデルは精度が高く、HEMTデバイスモデリングに適しており、良好な実践意義がある。ゲート長が0.3mmのpHEMT25°C、85°C、125°Cの3つの温度の直流I-Vデータを利用して検証を行い、確立したモデルはテストデータと高い一致性がある。Data from Wanfang. Translated by JST.【JST・京大機械翻訳】