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J-GLOBAL ID:202202246555519234   整理番号:22A0904283

MoS_2の熱電特性に及ぼすバナジウムドーピングの影響【JST・京大機械翻訳】

Effect of vanadium doping on the thermoelectric properties of MoS2
著者 (9件):
資料名:
巻: 903  ページ: Null  発行年: 2022年 
JST資料番号: D0083A  ISSN: 0925-8388  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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最近,MoS_2は,その低い熱伝導率と高いSeebeck係数のため,有望な経済的および非毒性熱電材料として考えられている。しかし,不十分な固有電気伝導率は,その広いスケール応用に対する主な障害である。ここでは,p型VドープMoS_2を成功裏に合成し,MoS_2の熱電特性に及ぼすVドーピングの影響を系統的に調べた。全ドーピング範囲で,試料は常に完全な六方晶構造を維持した。ドープしたV原子はアクセプタとして挙動し,キャリア濃度を3から5桁改善し,それによって電気伝導率を著しく増強する。さらに,Vドーピングは結晶粒微細化を促進し,多数の点欠陥を導入し,格子熱伝導率の低減に相乗的役割を果たす。層状微細構造のため,V_xMo_1-xS_2の輸送特性に明らかな異方性が観察された。860Kで元のMoS_2(ZT_max=0.013)と比較して,V_xMo_1-xS_2の最大ZT値は860Kで0.24に増加した。Copyright 2022 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (1件):
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電気的性質 
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