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J-GLOBAL ID：202202246563019741   整理番号：22A0473095

薄いSi_0.7Ge_0.3結晶の移動溶媒成長のその場可視化【JST・京大機械翻訳】

In situ visualization of traveling solvent growth of thin Si_0.7Ge_0.3 crystals

著者 (2件)： Chiang Ping-ting (Department of Chemical Engineering, National Taiwan University, Taipei 1-617, Taiwan) ,  Lan Chung-wen (Department of Chemical Engineering, National Taiwan University, Taipei 1-617, Taiwan)
資料名： Journal of Crystal Growth  (Journal of Crystal Growth)
巻： 581  ページ： Null  発行年： 2022年 
JST資料番号： B0942A  ISSN： 0022-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 薄い組成的に均一なシリコンゲルマニウム結晶を,移動溶媒法(TSM)によって成長させた。異なる温度プロファイルによる融解と結晶成長挙動のその場観察を行い,成長メカニズムを初めて研究した。溶融界面の温度勾配と安定性は平面成長に重要であることが分かった。さもなければ,構成過冷却はファセット化,さらに樹枝状成長を誘発する。1K/mmの温度勾配が平面成長に適していることが分かった。1.4K/mmの臨界温度勾配以上で,成長界面はファセット化した。安定な成長速度も理論と一致し,成長が拡散によって駆動されることを示した。電子後方散乱回折(EBSD)分析から,単結晶がシードから首尾よく成長したことを確認した。シード側から供給側への強い偏析効果と正の濃度勾配がファセット先端における溶媒トラッピングを引き起こすことを明らかにした。Copyright 2022 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 温度分布 ,  界面 ,  過冷却 ,  結晶成長 ,  単結晶 ,  偏析 ,  *可視化 ,  濃度勾配 ,  温度勾配 ,  ファセット ,  その場観察 ,  成長速度
準シソーラス用語： EBSD ,  シリコンゲルマニウム ,  樹枝状成長 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： A1.分離 ,  A1.拡散 ,  A_2 溶液からの成長 ,  A_2 移動溶媒ゾーン成長 ,  B1.ゲルマニウムシリコン合金

分類 (1件)： 半導体の結晶成長  (BK13040X)

タイトルに関連する用語 (4件)： 結晶 ,  溶媒 ,  成長 ,  可視化