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J-GLOBAL ID：202202246564729768   整理番号：22A1161971

シリコン上のIII-Vレーザ集積のための近赤外におけるBGa(As)P合金の屈折率分散【JST・京大機械翻訳】

Refractive index dispersion of BGa(As)P alloys in the near-infrared for III-V laser integration on silicon

著者 (5件)： Fitch Christopher R. (Advanced Technology Institute and Department of Physics, University of Surrey, Guildford, GU2 7XH, United Kingdom) ,  Duffy Dominic A. (Advanced Technology Institute and Department of Physics, University of Surrey, Guildford, GU2 7XH, United Kingdom) ,  Ludewig Peter (NAsP III/V GmbH, Am Knechtacker 19, 35041, Marburg, Germany) ,  Stolz Wolfgang (NAsP III/V GmbH, Am Knechtacker 19, 35041, Marburg, Germany) ,  Sweeney Stephen J. (Advanced Technology Institute and Department of Physics, University of Surrey, Guildford, GU2 7XH, United Kingdom)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 131  号： 13  ページ： 133102-133102-13  発行年： 2022年 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： B_xGa_(1-x)PとB_xGa_(1-x)As_yP_(1-y)合金は,シリコンとの統合のためのIII-Vヘテロ構造に潜在的興味を持つ。これらの合金を利用する導波路設計は屈折率特性の理解と組成によるそれらの変化を必要とする。屈折率分散を測定し,827~2254nmの波長範囲で,ホウ素とヒ素の分率がそれぞれ0%~6.6%と0%~17%の試料について分光偏光解析法を用いてモデル化した。屈折率は,シリコン基板との格子定数不整合による歪の結果として,ホウ素組成の増加とともに増加することを見出した。ヒ素含有合金では,屈折率は歪とは無関係に増加することがわかった。Cauchy分散関数係数の組成依存変化に基づく経験的モデルを,成長温度でシリコンに整合したBGaAsP合金格子に対して開発した。このモデルを用いて,半導体導波路への応用のための格子整合ホウ素とヒ素の組み合わせの波長依存屈折率を計算した。この研究の結果は,光起電力を含むシリコン応用に関する他のIII-Vに対して,また,非天然基板上の薄膜の偏光解析研究に関して,より広く興味深い。Copyright 2022 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *屈折率 ,  *合金 ,  格子定数 ,  薄膜 ,  半導体 ,  *ケイ素 ,  *ヒ素 ,  ホウ素 ,  モデリング ,  *近赤外線 ,  モデル ,  偏光解析法 ,  *分散【dispersion】 ,  導波路
準シソーラス用語： ヘテロ構造 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 光物性一般  (BM08010A)

タイトルに関連する用語 (7件)： シリコン ,  レーザ ,  集積 ,  近赤外 ,  BGA ,  P合金 ,  屈折率