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J-GLOBAL ID：202202246712339603   整理番号：22A0992689

リン化インジウム高電子移動度トランジスタエピタキシャル構造材料の抗電子照射強化設計【JST・京大機械翻訳】

Structure parameters design of InP based high electron mobility transistor epitaxial materials to improve radiation-resistance ability

著者 (9件)： Zhou Shuxing (湖北文理学院物理与電子工程学院,低維光電材料与器件湖北省重点実験室,襄陽 441053) ,  Fang Renfeng (湖北文理学院物理与電子工程学院,低維光電材料与器件湖北省重点実験室,襄陽 441053) ,  Wei Yanfeng (湖北文理学院物理与電子工程学院,低維光電材料与器件湖北省重点実験室,襄陽 441053) ,  Chen Chuanliang (湖北文理学院物理与電子工程学院,低維光電材料与器件湖北省重点実験室,襄陽 441053) ,  Cao Wenyu (湖北文理学院物理与電子工程学院,低維光電材料与器件湖北省重点実験室,襄陽 441053) ,  Zhang Xin (湖北文理学院物理与電子工程学院,低維光電材料与器件湖北省重点実験室,襄陽 441053) ,  Ai Likun (中国科学院上海微系統与信息技術研究所,信息功能材料国家重点実験室,上海 200050) ,  Li Yudong (中国科学院新疆理化技術研究所,中国科学院特殊環境功能材料与器件重点実験室,烏魯木斉 830011) ,  Guo Qi (中国科学院新疆理化技術研究所,中国科学院特殊環境功能材料与器件重点実験室,烏魯木斉 830011)
資料名： Wuli Xuebao  (Wuli Xuebao)
巻： 71  号： 3  ページ： 284-291  発行年： 2022年 
JST資料番号： B0628A  ISSN： 1000-3290  CODEN： WLHPA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： リン化インジウム高電子移動度トランジスタ(InPHEMT)エピタキシャル構造材料の抗電子照射強化設計の効果を研究するため、本論文では気体源分子ビームエピタキシー法を用いて、一連のInPHEMTエピタキシャル構造材料を作製した。異なるエピタキシャル構造材料に対して1.5MeV電子ビーム照射実験を行い、照射フルエンスが2×1015cm-2の条件下で、InPHEMTエピタキシャル構造材料の二次元電子ガス照射前後の電気的特性を測定した。照射前後に異なるエピタキシャル構造InPHEMT材料の二次元電子ガス正規化濃度と電子移動度がエピタキシャルパラメータに従う変化規律を得て、InPHEMTの二次元電子ガス輻射損傷とSi-dドーピング濃度を分析した。InGaAsチャネルの厚みとチャネルInの成分,および分離層の厚みなどの構造パラメータ間の関係を調べた。その結果,Si-dドーピング濃度が大きいほど,分離層の厚みが薄く,InGaAsチャネルの厚みが大きく,チャネルIn成分が低いInPHEMTエピタキシャル構造の二次元電子ガス放射損傷が相対的に低く,より強い電子照射能力があることが分かった。分析は以下のとおりである。1)電子ビームと材料格子はエネルギー伝達し、格子の完全性を破壊し、チャネルヘテロ界面に輻射誘導欠陥を導入し、複合中心密度を増加させ、散乱増強は二次元電子ガス移動度と濃度低下を招く。2)高濃度Si-dドーピングと薄い分離層は量子井戸の二次元電子ガス濃度を高め、二次元電子ガスが放射損傷に与える影響を低下させる。3)高In成分ひずみチャネルは二次元電子ガス移動度を高めるのに有利であるが、照射後、ひずみ緩和が転位欠陥を生じやすく、二次元電子ガス移動度が顕著に低下する。Data from Wanfang. Translated by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： エネルギー移動 ,  *エピタクシー ,  *キャリア移動度 ,  散乱 ,  照射損傷 ,  *電子照射 ,  電気的性質 ,  *インジウム ,  ドーピング ,  *リン化インジウム ,  ヒ化ガリウムインジウム ,  *HEMT ,  フルエンス ,  二次元電子ガス
準シソーラス用語： *電子移動度 ,  ヘテロ界面 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 数理物理学  (BA03000W) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (7件)： リン化インジウム ,  高電子移動度トランジスタ ,  エピタキシャル ,  構造材料 ,  電子照射 ,  強化 ,  設計