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J-GLOBAL ID：202202246773547327   整理番号：22A0466887

BP/SnS van der waalsヘテロ構造の電子構造と接触型に対する歪の変調【JST・京大機械翻訳】

Modulation of strain on electronic structure and contact type of BP/SnS van der waals heterostructure

著者 (4件)： Chen Jia-Le (Beijing Key Laboratory of Nanophotonics and Ultrafine Optoelectronic Systems, School of Physics, Beijing Institute of Technology, Zhongguancun South Street, Haidian District, Beijing 100081, People’s Republic of China) ,  Du Jing-Xue (Beijing Key Laboratory of Nanophotonics and Ultrafine Optoelectronic Systems, School of Physics, Beijing Institute of Technology, Zhongguancun South Street, Haidian District, Beijing 100081, People’s Republic of China) ,  Yang Jing (Beijing Key Laboratory of Nanophotonics and Ultrafine Optoelectronic Systems, School of Physics, Beijing Institute of Technology, Zhongguancun South Street, Haidian District, Beijing 100081, People’s Republic of China) ,  Shi Li-Jie (Beijing Key Laboratory of Nanophotonics and Ultrafine Optoelectronic Systems, School of Physics, Beijing Institute of Technology, Zhongguancun South Street, Haidian District, Beijing 100081, People’s Republic of China)
資料名： Journal of Physics. D. Applied Physics  (Journal of Physics. D. Applied Physics)
巻： 55  号： 12  ページ： 125102 (8pp)  発行年： 2022年 
JST資料番号： B0092B  ISSN： 0022-3727  CODEN： JPAPBE  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 2つの単層(ML)材料から成る垂直van der Waalsヘテロ構造(vdWH)は,層状電子デバイスの新しい機会を提供する。ここでは,面内一軸および二軸歪を適用することにより,BP/SnS vdWHの電子物性についての詳細な理論研究を示した。第一原理計算から,BP/SnS vdWHの直接バンドギャップは,広範囲の一軸および二軸歪内に維持できることが示唆された。また,BP/SnS vdWHのバンドギャップ,バンド配列および接触型は,一軸および二軸歪によって調整できることが分かった。さらに,Poisson比はジグザグ(ZZ)とアームチェア方向に沿って単軸歪に関して強い異方性を示した。BP/SnS vdWHの容易に調整可能な電子特性と高異方性特性は,光起電力電池,光検出器,および他の機能性ナノデバイスの分野における有望な材料になる。Please refer to the publisher for the copyright holders. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 異方性 ,  光電池 ,  *電子構造 ,  光検出器 ,  Poisson比 ,  一軸 ,  単一層 ,  バンドギャップ
準シソーラス用語： *ヘテロ構造 ,  ナノデバイス ,  電子素子 ,  第一原理計算 ,  電子物性 ,  二軸ひずみ ,  直接バンドギャップ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 半導体結晶の電子構造  (BM02060N)

タイトルに関連する用語 (7件)： BP ,  SNS ,  VAN ,  ヘテロ構造 ,  電子構造 ,  歪 ,  変調