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J-GLOBAL ID：202202246813588671   整理番号：22A0791327

Bi_2Se_3/FeSe_0.5Te_0.5薄膜ヘテロ接合における異常な超伝導近接効果【JST・京大機械翻訳】

Anomalous Superconducting Proximity Effect in Bi₂Se₃/FeSe_0.5Te_0.5 Thin-Film Heterojunctions

著者 (15件)： Zhang Yalin (National Laboratory of Solid State Microstructures, Collaborative Innovation Center of Advanced Microstructures, Nanjing University, Nanjing, 210093, China) ,  Zhang Yalin (College of Engineering and Applied Sciences, Nanjing University, Nanjing, 210093, China) ,  Zhao Wei-Min (National Laboratory of Solid State Microstructures, Collaborative Innovation Center of Advanced Microstructures, Nanjing University, Nanjing, 210093, China) ,  Zhao Wei-Min (School of Physics, Nanjing University, Nanjing, 210093, China) ,  Zhang Chunchen (National Laboratory of Solid State Microstructures, Collaborative Innovation Center of Advanced Microstructures, Nanjing University, Nanjing, 210093, China) ,  Zhang Chunchen (College of Engineering and Applied Sciences, Nanjing University, Nanjing, 210093, China) ,  Wang Peng (National Laboratory of Solid State Microstructures, Collaborative Innovation Center of Advanced Microstructures, Nanjing University, Nanjing, 210093, China) ,  Wang Peng (College of Engineering and Applied Sciences, Nanjing University, Nanjing, 210093, China) ,  Wang Tong (Department of Mathematics, Nanjing University of Aeronautics and Astronautics, Nanjing, 210016, China) ,  Li Shao-Chun (National Laboratory of Solid State Microstructures, Collaborative Innovation Center of Advanced Microstructures, Nanjing University, Nanjing, 210093, China) ,  Li Shao-Chun (School of Physics, Nanjing University, Nanjing, 210093, China) ,  Xing Zhongwen (National Laboratory of Solid State Microstructures, Collaborative Innovation Center of Advanced Microstructures, Nanjing University, Nanjing, 210093, China) ,  Xing Zhongwen (School of Electronic Science and Engineering, Nanjing University, Nanjing, 210093, China) ,  Xing Dingyu (National Laboratory of Solid State Microstructures, Collaborative Innovation Center of Advanced Microstructures, Nanjing University, Nanjing, 210093, China) ,  Xing Dingyu (School of Physics, Nanjing University, Nanjing, 210093, China)
資料名： Advanced Materials  (Advanced Materials)
巻： 34  号： 6  ページ： e2107799  発行年： 2022年 
JST資料番号： W0001A  ISSN： 0935-9648  CODEN： ADVMEW  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 超伝導近接効果(SPE)は超伝導体と近接して非超伝導薄膜で超伝導転移を誘起する。SPEは通常,実際の空間で発生し,膜厚とともに指数関数的に減衰する。ここでは,トポロジー絶縁体(TI)/超伝導体ヘテロ構造における異常なSPEを明らかにし,それはトポロジー的に保護された表面状態に起因した。驚くべきことに,このような異常なSPEは,トポロジー表面状態がロバストで,連続伝導ループを形成する限り,TI膜厚に関係なく運動量空間で発生する。輸送測定と走査トンネル顕微鏡/分光法を組み合わせて,Bi_2Se_3/FeSe_0.5Te_0.5ヘテロ構造中のSPEを調べ,Bi_2Se_3は理想的な3Dトポロジー絶縁体と典型的な鉄系超伝導体であるFeSe_0.5Te_0.5である。Bi_2Se_3薄膜の厚さが400nmを超えると,転移温度T_cが10K以下でBi_2Se_3薄膜表面にSPE誘起超伝導が存在する。このような異常な挙動はBi_2Se_3のトポロジー的に保護された表面状態のユニークな特性によって誘起される。本研究はSPEにおけるトポロジー的に保護された表面状態の重要な役割の理解を深める。Copyright 2022 Wiley Publishing Japan K.K. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *ヘテロ接合 ,  位相幾何学 ,  相転移 ,  *超伝導 ,  転移温度 ,  *薄膜 ,  指数関数 ,  *近接効果 ,  三次元 ,  ロバスト性 ,  走査型トンネル顕微鏡 ,  超伝導薄膜 ,  トポロジカル絶縁体
準シソーラス用語： ヘテロ構造 ,  超伝導転移 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： Bi_2Se_3/FeSe_0.5Te_0.5ヘテロ構造 ,  電気輸送 ,  超伝導近接効果 ,  超伝導体 ,  トポロジカル絶縁体

分類 (5件)： その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A) ,  塩  (CD01050V) ,  固-気界面一般  (CB12041H) ,  その他の無機化合物の磁性  (BM06060P) ,  その他の無機化合物の結晶成長  (BK13060T)

タイトルに関連する用語 (4件)： 薄膜 ,  ヘテロ接合 ,  伝導 ,  近接効果