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J-GLOBAL ID:202202247093614960   整理番号:22A1161980

ひ化ガリウムパルス圧縮光伝導スイッチの設計考察【JST・京大機械翻訳】

Design considerations for gallium arsenide pulse compression photoconductive switch
著者 (6件):
資料名:
巻: 131  号: 13  ページ: 134504-134504-18  発行年: 2022年 
JST資料番号: C0266A  ISSN: 0021-8979  CODEN: JAPIAU  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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本論文では,電子輸送の負の微分移動度(NDM)領域で動作する半絶縁性ガリウムアルセニド(GaAs)を用いた新しいパルス圧縮光伝導スイッチ(PCPS)の物理および設計空間探索を提示した。接触分離,レーザエネルギーおよび配置,およびトラップ動力学を含むPCPS性能と様々な設計オプションの間の関係を系統的に定量化した。特に,著者らは,印加された電気的および光学的バイアスの関数として,PCPSによって発生する半値およびピーク出力電流における全幅を報告した。より高い電子閉じ込めと優れた高周波(RF)メトリックを達成するために,電極とレーザスポットの距離の間の最適間隔を議論した。レーザエネルギーの減少は拡散輸送による二次ピークの出現を防ぐために重要であるが,PCPSの帯域幅と最大電流の間にはトレードオフが存在する。また,トラップ動力学がある場合とない場合のPCPS応答を比較し,トラップ誘起空間電荷からの静電遮蔽は,トラッピング時定数が再結合寿命より大きい場合,時間に依存しないことを見出した。全体として,トラップ動力学は性能に有害であり,半絶縁GaAsを達成するための補償ドーピングスキームを注意深く選択しない。本論文で示した結果は,種々のRF応用の仕様を満たすためのPCPS設計パラメータを微調整するために,実験者によって使用できる。さらに,著者らの結果は,調査中のGaAsと他のNDM材料を用いたPCPSデバイスの測定に対する強い理論的基礎を提供するであろう。Copyright 2022 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (2件):
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半導体の格子欠陥  ,  半導体レーザ 
タイトルに関連する用語 (4件):
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