文献

J-GLOBAL ID：202202247237106389   整理番号：22A0433503

軽量階層的2D窒素ドープグラフェン@非晶質炭素の電磁応答特性【JST・京大機械翻訳】

Electromagnetic response characteristics of lightweight hierarchical 2D nitrogen-doped graphene@amorphous carbon

著者 (4件)： Liu Jia (Key Laboratory of Solidification Control and Digital Preparation Technology (Liaoning Province), School of Materials Science and Engineering, Dalian University of Technology, Dalian 116085, People’s Republic of China) ,  Duan Yuping (Key Laboratory of Solidification Control and Digital Preparation Technology (Liaoning Province), School of Materials Science and Engineering, Dalian University of Technology, Dalian 116085, People’s Republic of China) ,  Huang Lingxi (Key Laboratory of Solidification Control and Digital Preparation Technology (Liaoning Province), School of Materials Science and Engineering, Dalian University of Technology, Dalian 116085, People’s Republic of China) ,  Pang Huifang (Key Laboratory of Solidification Control and Digital Preparation Technology (Liaoning Province), School of Materials Science and Engineering, Dalian University of Technology, Dalian 116085, People’s Republic of China)
資料名： Applied Surface Science  (Applied Surface Science)
巻： 577  ページ： Null  発行年： 2022年 
JST資料番号： B0707B  ISSN： 0169-4332  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 2次元(2D)窒素ドープグラフェン@アモルファス炭素を,サンドイッチ状構造ポリアニリン/酸化グラフェン複合材料のin-situ重合によって,次に,真空中,650°Cで炭化した。その結果,調製したままの2D Nドープグラフェン@アモルファス炭素およびNドープ非晶質炭素ナノロッドは,ほとんど同じ分解度および結晶構造を有することが明らかになった。しかし,より大きな欠陥度およびより多くの極性結合は,分極損失容量の強化を助け,大きな誘電定数は,顕著な導電性損失ポテンシャルに寄与する。2D Nドープグラフェン@アモルファス炭素の13.325GHzでの定在波比は,1に近い1.08426であり,ほぼ完全なインピーダンス整合レベルを達成した。HFSSシミュレーションは,Nドープグラフェン@アモルファス炭素と試験マイクロ波の間の相突然変異,群遅延と共鳴応答,ならびにより強いマイクロ波損失容量とより良いインピーダンス整合を証明した。上記両方は,2D Nドープグラフェン@アモルファスカーボンを有望なマイクロ波吸収材料にする。窒素ドープグラフェン@アモルファス炭素の最小反射損失(RL)は,-29.5dBに達し,有効吸収帯域幅(EAB,RL<-10dB)は,2.25mmの厚さでのみ12.56から17.915GHzの範囲の5.355GHzに達することができた。Copyright 2022 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 結晶構造 ,  シミュレーション ,  分極 ,  マイクロ波 ,  誘電率 ,  *ドーピング ,  帯域幅 ,  *二次元 ,  インピーダンス整合 ,  その場重合 ,  導電性 ,  ナノロッド ,  *グラフェン
準シソーラス用語： 酸化グラフェン ,  *窒素ドーピング , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 窒素ドープグラフェン ,  非晶質炭素 ,  HFSSシミュレーション ,  ポインティングベクター ,  電磁波吸収

分類 (5件)： 炭素とその化合物  (YB02060D) ,  半導体結晶の電子構造  (BM02060N) ,  その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A) ,  吸着の電子論  (CB12042Y) ,  静電機器  (NB10020R)

タイトルに関連する用語 (6件)： 軽量 ,  2D ,  窒素ドープ ,  グラフェン ,  非晶質炭素 ,  応答特性