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J-GLOBAL ID：202202247652262004   整理番号：22A0847697

スキルミオンHall効果に基づくスキルミオンダイオード【JST・京大機械翻訳】

A Skyrmion Diode Based on Skyrmion Hall Effect

著者 (4件)： Feng Youhua (College of Physics, Sichuan University, Chengdu, China) ,  Zhang Xi (College of Physics, Sichuan University, Chengdu, China) ,  Zhao Guoping (College of Physics and Electronic Engineering, Sichuan Normal University, Chengdu, China) ,  Xiang Gang (College of Physics, Sichuan University, Chengdu, China)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 69  号： 3  ページ： 1293-1297  発行年： 2022年 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： スカイミオンHall効果(SkHE)は通常,磁気スカイミオンに基づく技術的応用の欠点と考えられ,SkHEを抑制するために多くの努力がなされてきた。代わりに,ここではSkHEを用いて有用なスカイミオンダイオードを設計した。ミクロ磁気シミュレーションは,横方向非対称を有するストライプ形状デバイスにおいて,ダイオード様フォワードブレークオーバーと逆カットオフ関数が,スカイミオンの電流誘起運動に基づいて実現できることを示した。著者らの結果は,一方向のスカイミオン輸送に基づくスピントロニクスデバイスの開発に向けた有望な経路を示唆する。Copyright 2022 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *Hall効果 ,  シミュレーション ,  *ダイオード ,  非対称性 ,  磁気 ,  電流発生 ,  *スキルミオン ,  スピントロニクス

分類 (4件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  電子管一般  (NC02010S) ,  固体デバイス材料  (NC03020K) ,  電子管,放電管  (NC02020D)

タイトルに関連する用語 (2件)： スキルミオン ,  Hall効果