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J-GLOBAL ID：202202247677977035   整理番号：22A0958740

D-Dプラズマ動作中のWESTトカマクにおける核融合実験における中性子誘起SEUの実時間特性評価【JST・京大機械翻訳】

Real-Time Characterization of Neutron-Induced SEUs in Fusion Experiments at WEST Tokamak During D-D Plasma Operation

著者 (12件)： Autran J. L. (Aix-Marseille Universite ́, Universite ́ de Toulon, CNRS, IM2NP, Marseille, France) ,  Moindjie S. (Aix-Marseille Universite ́, Universite ́ de Toulon, CNRS, IM2NP, Marseille, France) ,  Munteanu D. (Aix-Marseille Universite ́, Universite ́ de Toulon, CNRS, IM2NP, Marseille, France) ,  Dentan M. (ITER Organization, Saint-Paul-lez-Durance, France) ,  Moreau P. (CEA-IRFM, Centre de Cadarache, Saint-Paul-lez-Durance, France) ,  Pellissier F. P. (CEA-IRFM, Centre de Cadarache, Saint-Paul-lez-Durance, France) ,  Bucalossi J. (CEA-IRFM, Centre de Cadarache, Saint-Paul-lez-Durance, France) ,  Borgese G. (Defense and Security Business Unit-Big Science Area, Vitrociset S.p.A, Rome, Italy) ,  Malherbe V. (STMicroelectronics, Crolles, France) ,  Thery T. (STMicroelectronics, Crolles, France) ,  Gasiot G. (STMicroelectronics, Crolles, France) ,  Roche P. (STMicroelectronics, Crolles, France)
資料名： IEEE Transactions on Nuclear Science  (IEEE Transactions on Nuclear Science)
巻： 69  号： 3  ページ： 501-511  発行年： 2022年 
JST資料番号： C0235A  ISSN： 0018-9499  CODEN： IETNAE  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 定常状態トカマク(WEST)のW→γ線タングステン(WEST)における重水素(D-D)プラズマ動作中の核融合中性子を受けるCMOSバルク65nm静的ランダムアクセスメモリ(SRAM)の実時間ソフトエラーレート特性評価を行った。トカマクのいくつかの位置での実験ホールに設置した試験装置を,一次2.45MeV中性子が支配する粒子のフラックスにより,機械ショット中に照射した。実時間中性子計測,中性子分光法,単エネルギー中性子による相補的キャラクタリゼーション,および材料および回路レベルでのモンテカルロ数値シミュレーションも行い,実験データを解析した。著者らの結果は,D-Dプラズマ中のトリトンバーンアップによる重水素トリジウム(D-T)反応によって同時に生成される高エネルギー中性子が,多重セルアップセットが検出され,D-D中性子に起因することができないSRAMの放射応答において,重要な役割を果たすことを示唆する。Copyright 2022 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： モンテカルロ法 ,  *トカマク ,  γ線 ,  高速中性子 ,  *プラズマ ,  *中性子 ,  *核融合 ,  多重化 ,  畜舎 ,  三重陽子 ,  SRAM ,  RAM【メモリ】 ,  CMOS
準シソーラス用語： 数値シミュレーション ,  核融合中性子 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 半導体の放射線による構造と物性の変化  (BK16123E) ,  半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (10件)： D-D ,  プラズマ ,  トカマク ,  核融合 ,  実験 ,  中性子 ,  誘起 ,  SEU ,  実時間 ,  特性評価