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J-GLOBAL ID：202202247984099242   整理番号：22A0396333

量子閉込めナノシートFETのためのボトムアップスケーラブルコンパクトモデル【JST・京大機械翻訳】

A Bottom-Up Scalable Compact Model for Quantum Confined Nanosheet FETs

著者 (5件)： Ganeriwala Mohit D. (Department of Electrical Engineering, IIT Gandhinagar, Gujarat, Gandhinagar, India) ,  Singh Aishwarya (Department of Electrical Engineering, IIT Gandhinagar, Gujarat, Gandhinagar, India) ,  Dubey Abhilash (Department of Electrical Engineering, IIT Gandhinagar, Gujarat, Gandhinagar, India) ,  Kaur Ramandeep (Department of Electrical Engineering, IIT Gandhinagar, Gujarat, Gandhinagar, India) ,  Mohapatra Nihar R. (Department of Electrical Engineering, IIT Gandhinagar, Gujarat, Gandhinagar, India)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 69  号： 1  ページ： 380-387  発行年： 2022年 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,ナノシートFETにおけるチャネル電荷とドレイン電流に対する物理ベースコンパクトモデルを示した。モデルはボトムアップアプローチに従う。チャネル電荷は1D状態密度(DOS)を用いて計算し,閉込めが特定の方向に減少するので,2-Dまたは3-D DOSを有するデバイスに対してシームレスにスケールアップした。モデルは,完全なFermi四角形(FD)統計を使用し,2つの追加フィッティングパラメータのみを必要とする。モデルの正確度を,インハウス2D結合Poisson Schroedinger(PS)ソルバーと技術計算機支援ツール(TCAD)シミュレーションからのデータと比較することによって確認した。提案したモデルは,異なる寸法と印加バイアスを有するナノシートFET(NsFET)のサブバンドエネルギー,反転電荷,チャネル電位,ドレイン電流を正確に予測した。Copyright 2022 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： シミュレーション ,  電位 ,  電荷 ,  スケールアップ ,  状態密度 ,  二次元 ,  一次元 ,  三次元 ,  *量子閉込め ,  *ナノシート
準シソーラス用語： ドレイン電流 ,  ソルバ ,  TCAD ,  *ボトムアップ ,  サブバンド , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (3件)： 量子閉込め ,  ナノシート ,  FET