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J-GLOBAL ID：202202247984267944   整理番号：22A0418951

SiC単結晶内の電気伝導キャリアの評価および制御技術開発

著者 (1件)： 加藤正史 (名古屋工大 大学院工学研究科)
資料名： 新東技報  (Sinto Technical Report)
号： 39  ページ： 78-79  発行年： 2022年01月 
JST資料番号： L3037A  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： 半導体素子 ,  *炭化ケイ素 ,  単結晶 ,  *電気伝導 ,  キャリア ,  正孔 ,  電子 ,  光触媒 ,  触媒活性 ,  キャリア寿命 ,  寿命評価 ,  不純物 ,  ドーピング ,  再結合
準シソーラス用語： 炭化ケイ素パワーデバイス ,  電気伝導キャリア ,  *光触媒活性 ,  不純物の添加

分類 (1件)： 固体デバイス材料  (NC03020K)

引用文献 (3件)：

• “Surface recombination velocities for 4H-SiC: temperature dependence and difference in conductivity type at several crystal faces” Masashi Kato, Zhang Xinchi, Kimihiro Kohama, Shuhei Fukaya, Masaya Ichimura, Journal of Applied Physics 127, 195702 (2020).
• “Observation of carrier lifetime distribution in 4H-SiC thick epilayers using microscopic time-resolved free carrier absorption system” K. Nagaya, T. Hirayama, T. Tawara, K. Murata, H. Tsuchida, A. Miyasaka, K. Kojima, T. Kato, H. Okumura, M. Kato, Journal of Applied Physics 128, 105702 (2020).
• “Highly efficient 3C-SiC photocathodes with texture structures formed by electrochemical etching” Masashi Kato, Tomohiro Ambe, Applied Physics Express 13, 026506 (2020).

タイトルに関連する用語 (7件)： SiC ,  単結晶 ,  電気伝導 ,  キャリア ,  評価 ,  制御技術 ,  開発