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J-GLOBAL ID：202202248016037040   整理番号：22A0976632

コンプライアンス電流制御によるHOIPメモリスタにおける多機能バイポーラおよび相補抵抗スイッチング【JST・京大機械翻訳】

Multifunctional Bipolar and Complementary Resistive Switching in HOIP Memristors by the Control of Compliance Current

著者 (2件)： Gogoi Himangshu Jyoti (Department of Electronics and Electrical Engineering, Indian Institute of Technology Guwahati, Assam, India) ,  Mallajosyula Arun Tej (Department of Electronics and Electrical Engineering, Indian Institute of Technology Guwahati, Assam, India)
資料名： ACS Applied Electronic Materials  (ACS Applied Electronic Materials)
巻： 4  号： 3  ページ： 1039-1046  発行年： 2022年 
JST資料番号： W5669A  ISSN： 2637-6113  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,ハイブリッド有機-無機ペロブスカイト(HOIP)ベースのメムリスタを提示して,逆極性の電場を印加することによって,2つの異なる型のバイポーラ抵抗スイッチング(BRS)を示した。「タイプA」と呼ばれるBRSの最初のタイプは,V_SET,V_RESET,およびON/OFF比が0.47V,-0.32V,および369.91であった。一方,”タイプB”と呼ばれるBRSの2番目のタイプは,それぞれ-0.32と0.42VのV_SETとV_RESETを示し,5882.32の優れたON/OFF比を示した。元のHOIPメムリスタは,電気成形のための正の電圧を必要とし,続いてタイプAスイッチングを示し,それはより低い値にコンプライアンスを保つことによりタイプBに変換できる。実験結果に基づき,両タイプのBRSの可能なメカニズムを提示した。また,実験データフィッティングは,その高抵抗状態の間のメムリスタ電流が,タイプAスイッチングのトンネリング機構およびタイプBスイッチングのための拡散電流により支配されることを示した。一方,両タイプはON状態でオーム伝導を示した。動作場とコンプライアンス電流の極性の適切な選択と制御により,相補的抵抗スイッチング挙動から予想されるものと類似のI-V特性が得られ,抵抗ランダムアクセスメモリクロスバーアレイにおけるスネク電流の問題を低減できた。Copyright 2022 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 極性 ,  スイッチング ,  電圧 ,  電場 ,  *電流 ,  トンネル効果 ,  電流電圧特性 ,  *コンプライアンス ,  比率 ,  *回路部品 ,  *電流制御
準シソーラス用語： 多機能 ,  *抵抗スイッチング ,  ReRAM ,  *メモリスタ ,  拡散電流 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： ハイブリッド有機-無機ペロブスカイト ,  メムリスタ ,  バイポーラ抵抗スイッチング ,  コンプライアンス電流 ,  相補型抵抗スイッチング ,  SPICE

分類 (1件)： 半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (6件)： コンプライアンス ,  電流制御 ,  メモリスタ ,  多機能 ,  バイポーラ ,  抵抗スイッチング