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J-GLOBAL ID：202202248026883161   整理番号：22A0648035

還元電場下の制御可能なCO_2捕獲と分離のための有望な材料としてのN/PドープMoS_2単分子層:理論的モデリング【JST・京大機械翻訳】

N/P-Doped MoS₂ Monolayers as Promising Materials for Controllable CO₂ Capture and Separation under Reduced Electric Fields: A Theoretical Modeling

著者 (4件)： Liu Huijie (State Key Laboratory of Radiation Medicine and Protection, Collaborative Innovation Center of Radiation Medicine of Jiangsu Higher Education Institutions, School for Radiological and Interdisciplinary Sciences, Soochow University, China) ,  Qu Mengnan (State Key Laboratory of Radiation Medicine and Protection, Collaborative Innovation Center of Radiation Medicine of Jiangsu Higher Education Institutions, School for Radiological and Interdisciplinary Sciences, Soochow University, China) ,  Du Aijun (School of Chemistry, Physics and Mechanical Engineering, Queensland University of Technology, QLD, Australia) ,  Sun Qiao (State Key Laboratory of Radiation Medicine and Protection, Collaborative Innovation Center of Radiation Medicine of Jiangsu Higher Education Institutions, School for Radiological and Interdisciplinary Sciences, Soochow University, China)
資料名： Journal of Physical Chemistry C  (Journal of Physical Chemistry C)
巻： 126  号： 1  ページ： 203-211  発行年： 2022年 
JST資料番号： W1877A  ISSN： 1932-7447  CODEN： JPCCCK  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 固体吸着剤への外部電場印加による可逆CO_2捕獲はCO_2放出を低減する有望な方法である。しかし,適用電場の強さは実際には実行するために高すぎる。従って,電場の強さを低減する新しい戦略を開発することは極めて重要である。密度汎関数理論(DFT)レベルでのN/PドープMoS_2上のCO_2捕獲の調査を通して,N/PドープMoS_2上の電場の強度がドーピングなしの系と比較して著しく減少することを見出した。さらに,それらの可逆CO_2捕獲は,電場のオン/オフにより制御でき,これはエネルギー障壁のない発熱反応である。特に,大きな部分電荷分布差を有するNドープMoS_2では,効率的な可逆的CO_2捕獲のための必要な外部電場は,BN,C_2N,C_3N,MoS_2,およびNドープペンタグラフェンのような合成二次元(2D)材料の3~64%である。さらに,印加電場を有する材料は,燃焼前および燃焼後ガス混合物(CO_2,N_2,CH_4,およびH_2)からCO_2を分離することができる。すべてにおいて,本研究は,吸着剤への化学的ドーピングが,可逆的CO_2捕獲とガス分離のための必要な電場を低減するための有効な戦略である有用な洞察を提供する。Copyright 2022 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 混合気体 ,  *電場 ,  *単分子層 ,  吸着剤 ,  *ドーピング ,  電荷分布 ,  *捕獲 ,  二次元 ,  発熱反応 ,  密度汎関数法 ,  電界強度 ,  ガス分離
準シソーラス用語： 外部電場 ,  エネルギー障壁 ,  電圧印加 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 物理的手法を用いた吸着の研究  (CB12043P) ,  各種物理的手法  (CC01030W)

タイトルに関連する用語 (7件)： 還元 ,  電場 ,  捕獲 ,  ドープ ,  単分子層 ,  理論 ,  モデリング