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J-GLOBAL ID：202202248117056623   整理番号：22A0388781

FeTe_0.6Se_0.4単結晶の異方的臨界電流密度と磁束ピン止め機構【JST・京大機械翻訳】

Anisotropic critical current density and flux pinning mechanism of FeTe_0.6Se_0.4 single crystals

著者 (10件)： Pan Yongqiang (School of Physics and Key Laboratory of the Ministry of Education, Southeast University, Nanjing 211189, People’s Republic of China) ,  Zhou Nan (School of Physics and Key Laboratory of the Ministry of Education, Southeast University, Nanjing 211189, People’s Republic of China) ,  Lin Bencheng (School of Physics and Key Laboratory of the Ministry of Education, Southeast University, Nanjing 211189, People’s Republic of China) ,  Wang Jinhua (Wuhan National High Magnetic Field Center, School of Physics, Huazhong University of Science and Technology, Wuhan 430074, People’s Republic of China) ,  Zhu Zengwei (Wuhan National High Magnetic Field Center, School of Physics, Huazhong University of Science and Technology, Wuhan 430074, People’s Republic of China) ,  Zhou Wei (School of Physics and Key Laboratory of the Ministry of Education, Southeast University, Nanjing 211189, People’s Republic of China) ,  Zhou Wei (Advanced Functional Materials Lab and Department of Physics, Changshu Institute of Technology, Changshu 215500, People’s Republic of China) ,  Sun Yue (School of Physics and Key Laboratory of the Ministry of Education, Southeast University, Nanjing 211189, People’s Republic of China) ,  Sun Yue (Department of Physics and Mathematics, Aoyama Gakuin University, Sagamihara 252-5258, Japan) ,  Shi Zhixiang (School of Physics and Key Laboratory of the Ministry of Education, Southeast University, Nanjing 211189, People’s Republic of China)
資料名： Superconductor Science and Technology  (Superconductor Science and Technology)
巻： 35  号： 1  ページ： 015002 (7pp)  発行年： 2022年 
JST資料番号： T0607A  ISSN： 0953-2048  CODEN： SUSTEF  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： FeTe_0.6Se_0.4は,その大きな臨界電流密度(J_c)と高い上部臨界磁場(J_c)のため,かなりの応用の可能性を有する。しかし,J_cの異方性と不明瞭なフラックスピンニング機構の不確実性は,この材料の応用を制限した。本研究では,3方向のJ_cを磁気ヒステリシスループ測定から得た。10の大きな異方性が観察され,異方性の起源を詳細に議論した。磁束ピン止め力密度(F_p)はJ_cから得られ,正規化されたピン止め力対正規化場h[H/]において非スケーリング挙動が見出された。ピン止め力のピークは,温度上昇とともに高hから低hへシフトした。渦動力学解析に基づいて,ピークシフトは磁化緩和に起因することが分かった。磁気緩和のない臨界状態のJ_cとF_pは回復した。Dew-Hughesモデルによれば,FeTe_0.6Se_0.4清浄な単結晶における支配的なピン止め型は,通常の点ピン止めであることが確認された。Please refer to the publisher for the copyright holders. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 異方性 ,  磁化 ,  磁気ヒステリシス ,  *単結晶 ,  不確実性 ,  磁気緩和 ,  *臨界 ,  緩和現象 ,  *磁束ピン止め ,  *ピン止め ,  正規化 ,  昇温 ,  *臨界電流密度
準シソーラス用語： ピークシフト ,  上部臨界磁場 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 金属系超伝導体の物性  (BM04022R) ,  その他の超伝導体の物性  (BM04025Q)

タイトルに関連する用語 (3件)： 単結晶 ,  臨界電流密度 ,  磁束ピン止め