高温アニールAlNバッファ層上のMOVPE成長AlNにおける転位挙動に及ぼすSiドーピングの影響【JST・京大機械翻訳】

Mogilatenko A.; Walde S.; Hagedorn S.; Netzel C.; Huang C.-Y.; Weyers M.

文献

J-GLOBAL ID：202202248166802859 整理番号：22A0637322

高温アニールAlNバッファ層上のMOVPE成長AlNにおける転位挙動に及ぼすSiドーピングの影響【JST・京大機械翻訳】

Impact of Si doping on dislocation behavior in MOVPE-grown AlN on high-temperature annealed AlN buffer layers

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資料名：
巻： 131 号： 4 ページ： 045702-045702-7 発行年： 2022年
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIAU 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

本研究では,サファイア基板上に高温アニールした(HTA)スパッタAlNテンプレート上に有機金属気相エピタキシー(MOVPE)によって成長させた意図的にドープしたおよびSiドープAlN層の欠陥構造を比較した。HTAプロセスはAlN層の面内格子定数の減少をもたらすので,さらにホモエピタキシャル成長は圧縮歪AlN層をもたらす。MOVPE-AlN層厚さの増加とともに,歪緩和は,主に不規則な形状の転位半ループの形成によって生じ,ホモエピタキシャルMOVPE-AlN/HTA-AlN界面に蓄積した。これらの転位は層表面で核形成し,高温でホモエピタキシャル界面に移動することを示唆した。MOVPE-AlN層へのSiドーピングの導入により,これらの不規則でほとんど制御できない欠陥の形成を避けることができる。Siドーピングは,HTA-AlNテンプレートから生じる貫通転位線の傾斜を拡大し,歪み緩和の代替機構を生成した。Copyright 2022 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

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半導体の格子欠陥 , 酸化物薄膜

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