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J-GLOBAL ID：202202248196623997   整理番号：22A0971660

オプトエレクトロニクス応用のための原子的に薄いグラフェンテンプレート上の有機半導体薄膜のvan der Waalsエピタクシー【JST・京大機械翻訳】

van der Waals Epitaxy of Organic Semiconductor Thin Films on Atomically Thin Graphene Templates for Optoelectronic Applications

著者 (5件)： Nguyen Nguyen Ngan (Center for Advancing Electronics Dresden (cfaed) and Faculty of Chemistry and Food Chemistry, Technische Universitaet Dresden, Germany) ,  Lee Hansol (Department of Chemical Engineering, Pohang University of Science and Technology, Republic of Korea) ,  Lee Hansol (Department of Chemical and Biological Engineering, Gachon University, Gyeonggi, Republic of Korea) ,  Lee Hyo Chan (Department of Chemical Engineering, Myoungji University, Republic of Korea) ,  Cho Kilwon (Department of Chemical Engineering, Pohang University of Science and Technology, Republic of Korea)
資料名： Accounts of Chemical Research  (Accounts of Chemical Research)
巻： 55  号： 5  ページ： 673-684  発行年： 2022年 
JST資料番号： B0966A  ISSN： 0001-4842  CODEN： ACHRE4  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 考察:有機半導体(OSC)は,機械的柔軟性,低コスト処理,および調整可能な特性に関してユニークな利点を提供する。OSCに基づくデバイスの光学的および電気的特性は,OSCがグラフェンとある方法で結合するとき,大いに改良できる。著者らの研究グループは,OSCのための成長テンプレートとしてグラフェンの使用と,そのような高品質ヘテロ構造を光電子デバイスに組み込むことに焦点を当てた。アイデアは,均一なsp2炭素ネットワークを有するグラフェンの原子的に平坦な表面が,OSCの成長のための完全な準エピタキシャルテンプレートとして機能できることである。さらに,OSC-グラフェンヘテロ構造は,その高い電荷キャリア移動度,優れた光透過性,および魅力的な機械的耐久性および柔軟性などのグラフェンのユニークな特性から恩恵を受ける。しかし,著者らは,OSC分子がバッチからバッチまで変化する予測不能な方法でグラフェン上に集合することを発見した。多数の研究システムの観測から,そのような貧弱な再現性の根底にある機構を明らかにし,OSC上のグラフェンのテンプレート効果を実際に制御するためのフレームワークをセットした。このアカウントでは,この領域のスペクトルにおける科学的知見を提示するだけでなく,類似のヘテロ構造錯体を系統的に研究できるように,読者に我々の研究スキームを伝える。グラフェン表面上のOSCの成長がvan der Waals相互作用によって駆動され,従ってグラフェン表面の清浄度に敏感であることを実験で開始した。それにもかかわらず,類似の清浄なグラフェン表面でさえ,OSC薄膜は依然として下層の基板で変化することが分かった。著者らが開発したグラフェン移動法とin situゲーティング法のおかげで,分子-グラフェン相互作用に対する決定的なパラメータ(従って,グラフェン上のOSCの成長)がグラフェン中の電荷密度であることを発見した。したがって,高品質グラフェン-OSCヘテロ構造のためのグラフェンテンプレートを調製するために,グラフェン中の電荷密度を制御し,分子-グラフェン相互作用を最小にした。さらに,付加的分子-グラフェン相互作用を誘起するOSC分子とグラフェンの間の可能な電荷移動も考慮されるべきである。最終的に,著者らの概念実証システムを用いて作製した高品質OSC-グラフェンヘテロ構造から恩恵を受ける広範囲のオプトエレクトロニクス応用を示した。Copyright 2022 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： キャリア移動度 ,  相互作用 ,  電荷移動 ,  *有機半導体 ,  ネットワーク ,  電気的性質 ,  スペクトル ,  van der Waals力 ,  *オプトエレクトロニクス ,  鋳型効果 ,  *グラフェン
準シソーラス用語： 電荷密度 ,  ゲーティング ,  ヘテロ構造 ,  高品質 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 炭素とその化合物  (YB02060D)

タイトルに関連する用語 (6件)： オプトエレクトロニクス ,  応用 ,  原子 ,  半導体薄膜 ,  VAN ,  エピタクシー