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J-GLOBAL ID:202202248516614158   整理番号:22A0956661

液滴組成の変調による蒸気-液体-固体GeSnナノワイヤ中へのSnの取り込みの増強【JST・京大機械翻訳】

Enhancing the incorporation of Sn in vapor-liquid-solid GeSn nanowires by modulation of the droplet composition
著者 (9件):
資料名:
巻: 33  号: 24  ページ: 245605 (9pp)  発行年: 2022年 
JST資料番号: W0108A  ISSN: 0957-4484  CODEN: NNOTER  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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種々の触媒を有する気液-固体(VLS)機構によって成長させたGeSnナノワイヤ(NWs)におけるSn取込みに及ぼす液滴組成の影響について報告する。成長温度によるNW成長速度と形態の変化を調べ,400°Cを最良の温度として同定し,520nmmin-1の成長速度で最長の非テープNWを成長させた。GeSn NWを純Au液滴で成長させた場合,成長温度に関係なくNWコアにおいて2%以下の低いSn濃度を有するコア-シェル様構造を観察した。次に,Snの取込みに及ぼすAu触媒へのAg,Al,GaおよびSiの異なる画分添加の影響を調べた。75:25Au-Al触媒を用いて,NW体積にわたって高い空間的均一性を有する,9%までのSn取込みの顕著な改善が得られた。固体-液体界面でのエネルギー最小化に基づく熱力学モデルを開発し,データとの良好な相関を示した。これらの結果は,高いSn含有量を有する技術的に重要なGeSn材料を得るために有用であり,一般的に他の材料系におけるVLS NWsの組成を調整するのに有用である。Please refer to the publisher for the copyright holders. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (3件):
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
分析機器  ,  半導体の結晶成長  ,  酸化物の結晶成長 

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