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J-GLOBAL ID:202202248587448848   整理番号:22A0909509

CoFe_2O_4薄膜における表面からバルクへの内殻準位シフト【JST・京大機械翻訳】

Surface-to-bulk core level shift in CoFe2O4 thin films
著者 (5件):
資料名:
巻: 40  号:ページ: 023201-023201-5  発行年: 2022年 
JST資料番号: C0789B  ISSN: 0734-2101  CODEN: JVTAD6  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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酸化コバルトまたは酸化鉄のいずれかの顕著な偏析がないにもかかわらず,コアレベルの光電子放出結合エネルギーシフトは,Al_2O_3(0001)上に成長したCoFe_2O_4(111)薄膜に対して,表面がバルクと著しく異なることを示す傾向がある。CoFe_2O_4(111)薄膜はCo 2pとFe 2pコア準位光電子放出スペクトルの両方で表面からバルクへのコア準位シフトを示した。Co 2p_3/2とFe 2p_3/2のコアレベル光電子放出スペクトルにおける表面加重成分は,CoFe_2O_4(111)薄膜に対して,角度分解X線光電子分光法によりバルク成分から区別できた。CoFe_2O_4(111)の表面終端は,薄膜限界におけるCoFe_2O_4(111)を除いて,鉄または酸化コバルトのいずれかの強い優先表面終端の証拠なしで,CoとFeの両方を含む。室温での広範なアニーリングにより,Al_2O_3(0001)上に成長した非常に薄いCoFe_2O_4(111)膜の酸化コバルト成分は酸素を失う。Copyright 2022 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
シソーラス用語:
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分類 (2件):
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金属薄膜  ,  半導体薄膜 
タイトルに関連する用語 (4件):
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