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J-GLOBAL ID：202202248616159158   整理番号：22A0974707

重イオン照射Zr/Nbナノスケール金属多層における界面駆動歪:局所歪マッピングによる歪モデリングの検証【JST・京大機械翻訳】

Interface-Driven Strain in Heavy Ion-Irradiated Zr/Nb Nanoscale Metallic Multilayers: Validation of Distortion Modeling via Local Strain Mapping

著者 (12件)： Sen Huseyin Sener (Department of Control Engineering, Faculty of Electrical Engineering, Czech Technical University in Prague, Czechia) ,  Daghbouj Nabil (Department of Control Engineering, Faculty of Electrical Engineering, Czech Technical University in Prague, Czechia) ,  Callisti Mauro (Department of Materials Science and Metallurgy, University of Cambridge, United Kingdom) ,  Vronka Marek (Institute of Physics of the Czech Academy of Sciences, Czechia) ,  Karlik Miroslav (Department of Materials, Faculty of Nuclear Sciences and Physical Engineering, Czech Technical University in Prague, Czechia) ,  Karlik Miroslav (Department of Physics of Materials, Faculty of Mathematics and Physics, Charles University, Czechia) ,  Duchon Jan (Institute of Physics of the Czech Academy of Sciences, Czechia) ,  Cech Jaroslav (Department of Materials, Faculty of Nuclear Sciences and Physical Engineering, Czech Technical University in Prague, Czechia) ,  Lorincik Jan (Research Centre Rez, Czechia) ,  Havranek Vladimir (Nuclear Physics Institute of the Czech Academy of Sciences, Czechia) ,  Babor Petr (CEITEC-Central European Institute of Technology, Brno University of Technology, Czechia) ,  Polcar Tomas (Department of Control Engineering, Faculty of Electrical Engineering, Czech Technical University in Prague, Czechia)
資料名： ACS Applied Materials & Interfaces  (ACS Applied Materials & Interfaces)
巻： 14  号： 10  ページ： 12777-12796  発行年： 2022年 
JST資料番号： W2329A  ISSN： 1944-8244  CODEN： AAMICK  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ナノ層状金属合金は,放射線損傷に対する抵抗のおかげで,核用途のための有望な材料である。ここでは,27nm(薄い)と96nm(厚さ)のスパッタZr/Nb金属多層膜への異なるフルエンスの室温でのイオン(C,Si,Cu)照射の影響を調べた。照射後,全体の薄いナノスケール金属多層(NMM)における高歪が観察されたが,全厚いNMMにおける非常に小さな歪が確立された。この違いは,半解析モデルによってさらに分析され,その背後の理由は,局所歪マッピングによって検証される。両方法から,厚い層内では,2つの逆歪が発生し,全体歪は小さいが,薄い層では,全ての原子面が界面によって影響され,単一タイプの歪み(Nb-張とZrγ′圧縮)のみを受けることを示した。薄いNMMと厚いNMMの両方において,損傷の増加とともに,界面の周りの歪は増加し,界面(格子不整合の減少)における弾性エネルギーの放出をもたらし,Zr/Nb界面の放射線誘起遷移は,インコヒーレントから部分コヒーレントに起こる。密度汎関数理論シミュレーションは,内部から界面影響領域への点欠陥拡散フラックスの不等式が層内の逆歪の存在の原因であることを解読した。技術的に,この研究に基づいて,Zr=24nmとNb=31nm付近の厚さを有するZr/Nb55が,核応用に対して高い放射線損傷抵抗と最小膨潤を有する最も有望な多層システムであると見積もった。Copyright 2022 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *界面 ,  コヒーレンス ,  シミュレーション ,  照射損傷 ,  点欠陥 ,  膨潤 ,  *ジルコニウム ,  *ニオブ ,  放射線 ,  密度汎関数法 ,  フルエンス ,  解析モデル
準シソーラス用語： ナノ薄膜 ,  *ナノスケール ,  *局所歪 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： 多層 ,  イオン照射 ,  TEM ,  歪マッピング ,  DFT ,  拡散

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  固体の機械的性質一般  (BL01021C)

タイトルに関連する用語 (11件)： 重イオン照射 ,  Zr ,  Nb ,  ナノスケール ,  多層 ,  界面 ,  歪 ,  局所歪 ,  マッピング ,  モデリング ,  検証