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J-GLOBAL ID：202202248676763856   整理番号：22A0327398

BiドープZnOナノアレイの作製と光電特性【JST・京大機械翻訳】

Preparation and photoelectric properties of Bi doped ZnO nanoarrays

著者 (3件)： Sun Jinsong (Nanjing University of Science and Technology, 200, Xiaolingwei Street, Nanjing 210094, China) ,  Cao Jinxing (Nanjing University of Science and Technology, 200, Xiaolingwei Street, Nanjing 210094, China) ,  Jiang Xiaohong (Nanjing University of Science and Technology, 200, Xiaolingwei Street, Nanjing 210094, China)
資料名： Journal of Alloys and Compounds  (Journal of Alloys and Compounds)
巻： 896  ページ： Null  発行年： 2022年 
JST資料番号： D0083A  ISSN： 0925-8388  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ZnOは,大きなバンドギャップを持ち,その光電触媒性能にある程度影響を与える。本論文では,BiドープZnOナノアレイを,光アノードとしてのZnOの光電気化学的性能を改善するために,電気化学析出によって首尾よく調製した。XRDの結果から,調製したBiドープZnOは典型的な六方晶ウルツ鉱型結晶であり,SEMの結果もこの点を証明した。調製したBiドープZnOは,純粋なナノアレイを示し,Biのドーピングも,元の50-350nmからナノロッドの直径を減少させた。XPSの結果は,BiがZnOナノアレイにうまくドープされ,Bi_2O_3の形で存在することを示した。続いて,調製したBiドープZnOを蛍光分光法と光電気化学特性により分析し,ドーピング濃度が5%のとき,蛍光強度が最低であり,この時,キャリア再結合速度が最低であり,光電触媒効果が最良であった。Copyright 2022 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： X線回折 ,  *ビスマス ,  触媒活性 ,  *酸化亜鉛 ,  *ドーピング ,  電気化学 ,  六方晶系 ,  放射強度 ,  ウルツ鉱型結晶 ,  *ナノ構造 ,  キャリア再結合 ,  バンドギャップ ,  ナノロッド ,  *アレイ
準シソーラス用語： 蛍光強度 ,  *ナノアレイ ,  *光電気 ,  光アノード , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： ZnOナノアレイ ,  ビスマスドープ ,  蛍光特性 ,  光電気化学特性

分類 (1件)： セラミック・磁器の性質  (YC03030G)

タイトルに関連する用語 (6件)： Bi ,  ドープ ,  ZnO ,  ナノアレイ ,  作製 ,  光電特性