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J-GLOBAL ID：202202248761944409   整理番号：22A0433517

新しいJanusZnXY_2(X=Ge,Sn,Si及びY=S,Se,Te)単分子層の高圧電性,柔軟性及び電子特性:第一原理研究【JST・京大機械翻訳】

The high piezoelectricity, flexibility and electronic properties of new Janus ZnXY₂ (X = Ge, Sn, Si and Y = S, Se, Te) monolayers: A first-principles research

著者 (8件)： Zhang Tao (MOE Key Laboratory of Deep Earth Science and Engineering, College of Architecture and Environment, Sichuan University, Chengdu 610065, China) ,  Zhang Tao (College of Architecture & Environment, Sichuan University, Chengdu, Sichuan 610065, China) ,  Liang Ying (MOE Key Laboratory of Deep Earth Science and Engineering, College of Architecture and Environment, Sichuan University, Chengdu 610065, China) ,  Liang Ying (College of Architecture & Environment, Sichuan University, Chengdu, Sichuan 610065, China) ,  Guo Hao (School of Urban Construction, Hebei Normal University of Science and Technology, Qinhuangdao, Hebei 066004, China) ,  Fan Haidong (College of Architecture & Environment, Sichuan University, Chengdu, Sichuan 610065, China) ,  Tian Xiaobao (MOE Key Laboratory of Deep Earth Science and Engineering, College of Architecture and Environment, Sichuan University, Chengdu 610065, China) ,  Tian Xiaobao (College of Architecture & Environment, Sichuan University, Chengdu, Sichuan 610065, China)
資料名： Applied Surface Science  (Applied Surface Science)
巻： 579  ページ： Null  発行年： 2022年 
JST資料番号： B0707B  ISSN： 0169-4332  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 反転と鏡面対称性の破れにより,Janus構造は豊富な特性を持ち,二次元(2D)材料に適用できるが,2DJanus材料の研究は不十分である。本研究では,Janus材料ZnXY_2(X=Ge,Sn,SiおよびY=S,Se,Te)単分子層をグループIIIモノカルコゲン化物を参照して設計した。ZnXY_2単分子層の電子,機械および圧電特性および安定性を第一原理計算によって研究した。電子特性は,ZnXY_2単分子層が広い直接バンドギャップと正孔と電子の間の大きな有効質量差を有する半導体であることを示した。機械的性質は,ZnXY_2単分子層が,低いYoung率,曲げ弾性率および延性特性を有し,これは,フレキシブルナノデバイスへの応用に有益であることを示した。圧電特性は,従来のJanus基-IIIモノカルコゲン化物およびバルク圧電材料と比較して,ZnXY_2単分子層は,より高い面内および同等の面外圧電性を示した。さらなる解析は,原子間の距離と電気陰性度差が圧電性に対する2つの重要な影響因子であることを示した。要約すれば,柔軟性,圧電性,直接バンドギャップおよび大きな有効質量差は,ZnXY_2単分子層をオプトエレクトロニクス,光触媒,フレキシブルナノデバイスおよび電気機械システムに対する有望な候補にする。Copyright 2022 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： Young率 ,  延性 ,  正孔 ,  半導体 ,  圧電材料 ,  *単分子層 ,  カルコゲン化物 ,  オプトエレクトロニクス ,  二次元 ,  有効質量 ,  光触媒 ,  バンドギャップ
準シソーラス用語： ナノデバイス ,  第一原理計算 ,  直接バンドギャップ , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： Janus材料 ,  バンドギャップ ,  有効質量差 ,  機械的性質 ,  圧電性 ,  第一原理計算

分類 (1件)： 半導体結晶の電子構造  (BM02060N)

タイトルに関連する用語 (9件)： Sn ,  Si ,  Se ,  Te ,  単分子層 ,  圧電性 ,  電子 ,  第一原理 ,  研究