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J-GLOBAL ID：202202249051085387   整理番号：22A0588680

半導体素子の低コストのための球状ナノ結晶ZnO:Bi/酸化インジウムすず層の伝導率改善【JST・京大機械翻訳】

Conductivity Improvement of Spherical Nano-Crystalline ZnO:Bi/Indium Tin Oxide Layer for Low Cost of Semiconductor Devices

著者 (12件)： Fangsuwannarak Thipwan (School of Electrical Engineering, Institute of Engineering, Suranaree University of Technology, Nakhon Ratchasima, Thailand) ,  Fangsuwannarak Thipwan (Research Network NANOTEC-SUT on Advanced Nanomaterials and Characterization, School of Electrical Engineering, Suranaree University of Technology, Nakhon Ratchasima, Thailand) ,  Rattanawichai Peerawoot (School of Electrical Engineering, Institute of Engineering, Suranaree University of Technology, Nakhon Ratchasima, Thailand) ,  Rattanawichai Peerawoot (Research Network NANOTEC-SUT on Advanced Nanomaterials and Characterization, School of Electrical Engineering, Suranaree University of Technology, Nakhon Ratchasima, Thailand) ,  Laohawiroj Supanut (School of Electrical Engineering, Institute of Engineering, Suranaree University of Technology, Nakhon Ratchasima, Thailand) ,  Laohawiroj Supanut (Research Network NANOTEC-SUT on Advanced Nanomaterials and Characterization, School of Electrical Engineering, Suranaree University of Technology, Nakhon Ratchasima, Thailand) ,  Limsiri Warakorn (School of Electrical Engineering, Institute of Engineering, Suranaree University of Technology, Nakhon Ratchasima, Thailand) ,  Limsiri Warakorn (Research Network NANOTEC-SUT on Advanced Nanomaterials and Characterization, School of Electrical Engineering, Suranaree University of Technology, Nakhon Ratchasima, Thailand) ,  Naidoo Nikhil Jaden (School of Electrical Engineering, Institute of Engineering, Suranaree University of Technology, Nakhon Ratchasima, Thailand) ,  Naidoo Nikhil Jaden (Research Network NANOTEC-SUT on Advanced Nanomaterials and Characterization, School of Electrical Engineering, Suranaree University of Technology, Nakhon Ratchasima, Thailand) ,  Phatthanakun Rungrueang (BL6a: Deep X-Ray Lithography, Synchrotron Light Research Institute (Public Organization), Nakhon Ratchasima, Thailand) ,  Fangsuwannarak Karoon (School of Mechanical Engineering, Institute of Engineering, Suranaree University of Technology, Nakhon Ratchasima, Thailand)
資料名： Integrated Ferroelectrics  (Integrated Ferroelectrics)
巻： 222  号： 1  ページ： 14-27  発行年： 2022年 
JST資料番号： W0539A  ISSN： 1058-4587  CODEN： IFEREU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,急速熱アニーリング(RTA)を,周囲雰囲気中のインジウムスズ酸化物基板上にドープしたビスマス層(ZnO:Bi)を有するマルチ酸化亜鉛に適用し,マルチZnO:Bi層/ITO膜の導電性の著しい改善をもたらした。ITOはペロブスカイト太陽電池の電子輸送層(ETL)のための導電性透明電極として一般的に使用される。球状ナノ結晶ZnO:Bi膜を,不安定なITO伝導率に必然的に影響を与える520°Cで得た。RTAプロセスは,様々な条件(700~930°C,20s)を受けた。RTAプロセスはZnO:Biナノ構造,良好な光学特性およびITO伝導率改善を同時に得ることができることが分かった。直径10~20nmのnc-ZnO:Bi膜の表面形態は,250~850nmの光波長で,それぞれ3%と90%の低い反射率と高い透過率を示した。高度に導電性の球状nc-ZnO:Bi多層と安定な導電性ITOをRTA処理後に得た。このように,このような球状nc-ZnO:Bi/ITO膜の高品質は,低コスト半導体デバイスのためのさらなる新興太陽電池と透明接触電極のためのETL層を製造するために使用できる。Please refer to the publisher for the copyright holders. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 焼なまし ,  太陽電池 ,  *半導体素子 ,  電極 ,  *インジウム ,  *酸化亜鉛 ,  酸化スズ ,  ドーピング ,  透過率 ,  透明電極 ,  ナノ構造 ,  *酸化インジウムスズ ,  導電性 ,  *ナノ結晶
準シソーラス用語： *伝導率 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 導電性改善 ,  ITO ,  ZnOナノ構造 ,  nc-ZnO:Bi膜 ,  急速温度アニーリング

分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  光物性一般  (BM08010A)

タイトルに関連する用語 (7件)： 半導体素子 ,  球状 ,  ナノ結晶 ,  ZnO ,  Bi ,  酸化インジウムすず ,  伝導率