抄録/ポイント:
抄録/ポイント
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クラスDオーディオ増幅器は,モバイルデバイスにおいて徐々に標準部品となり,広い容量範囲とより高い出力電力(P_OUT)にわたってより良いオーディオ品質が望まれる。しかし,モバイルデバイスでは,Liイオン電池が3から4.2Vで動作するので,P_OUTは制限される。P_OUTを増加させるために,事前出版物[1][3]は,効率劣化を犠牲にして,クラスD電力ステージに対して,ブースト電源電圧V_PVDDを5Vまたはそれ以上に制御するための組込みブーストコンバータを開発した。Fig.31.3.1のトップは,典型的なディジタル入力開ループクラスDオーディオ増幅器を示し,そこでは,高P_OUTが必要なときだけ,ブーストコンバータを操作する。入力信号を最初にディジタルボリュームレベルによって乗算し,次に,補間器とデルタシグマ変調器(DSM)によって処理して,高信号対量子化雑音比(SQNR)を達成した。次に,DSM出力を,電力段階を駆動するために,PCMからPWM変換器によって,384kHzのスイッチング周波数f_SW,Classを有するPWM信号に変換した。図31.3.1の底は,異なるP_OUT領域におけるTHD+Nの支配的因子を示す。低P_OUT領域では,高ダイナミックレンジ(DR)を達成するために,DSMループ次数は,DSM形状量子化雑音を抑えるために,より攻撃的な雑音遮蔽能力のために十分に高いべきである。しかし,DSM入力がフルスケールに近いとき,これはDSMの量子化器を過負荷する傾向があり,高P_OUT領域のクリッピング誤差により急速に増加するTHD+Nをもたらす。このように,THD+N<1%の最大P_OUTは減少し,それはブーストV_PVDDをスクランダーする。DSM形状雑音に加えて,PWMパルスが低P_OUT領域で狭くなると,PCM-PWM変換器クロック(CLK)ジッタ雑音はより顕著であった。最小THD+Nが通常位置する媒質P_OUT領域に関しては,THD+NはクラスDパワーステージ非線形性によって支配された。Copyright 2022 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】