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J-GLOBAL ID：202202249213758601   整理番号：22A0223915

Si/Si_0.5Ge_0.5と優れたアナログ/RFパラメータを持つ非対称スペーサのハイブリッドヘテロ構造に基づく高速SOI無接合トランジスタ【JST・京大機械翻訳】

High-speed SOI junctionless transistor based on hybrid heterostructure of Si/Si_0.5Ge_0.5 and asymmetric spacers with outstanding analog/RF parameters

著者 (4件)： Fallahnejad Mohammad (Department of Electrical Engineering, Central Tehran Branch, Islamic Azad University, Tehran, Iran) ,  Amini Amir (Department of Electrical Engineering, College of Technical and Engineering, West Tehran Branch, Islamic Azad University, Tehran, Iran) ,  Khodabakhsh Amir (Department of Electrical Engineering, College of Technical and Engineering, West Tehran Branch, Islamic Azad University, Tehran, Iran) ,  Vadizadeh Mahdi (Department of Electrical Engineering, Karaj Branch, Islamic Azad University, Karaj, Iran)
資料名： Applied Physics. A. Materials Science & Processing  (Applied Physics. A. Materials Science & Processing)
巻： 128  号： 1  ページ： 47  発行年： 2022年 
JST資料番号： D0256C  ISSN： 0947-8396  CODEN： APHYCC  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 接合無し(JL)トランジスタにおいて,不純物散乱はチャネル内のキャリア速度を制限し,アナログ/RF応用におけるその性能を乱す。初めて,Si/Si_0.5Ge_0.5ヘテロ構造と非対称スペーサを用いて,シリコンオンインシュレータJLトランジスタ(SOI-JLT)のアナログ/RF性能の性能指数を改善した。提案したデバイスはハイブリッドヘテロ構造-SOI-JLT(HH-SOI-JLT)と呼ばれ,そこではHfO_2を有する領域が高κスペーサとして参照され,一方SiO_2を有する領域は低κスペーサとして知られている。シミュレーション結果によれば,HH-SOI-JLT素子のチャネルにおけるSi/Si_0.5Ge_0.5ヘテロ構造は伝導バンドエネルギーにおけるオフセットを引き起こし,ドレイン/チャネルの界面で量子井戸を生成させ,電子の電子密度と密度を大きく増強した。さらに,高κスペーサの使用は閾値以上の領域におけるフリンジ場を強化し,低κスペーサの使用はゲート対ドレイン容量を減少させた。20nmチャネルで,HH-SOI-JLTデバイスの最大相互コンダクタンス(Gm_max),1利得カットオフ周波数([数式:原文を参照]),および固有利得(A_V)を,同じ次元SOI-JLTデバイスと比較して,それぞれ265%,83%,および90%最適化した。実際,提案したHH-SOI-JLTデバイスはアナログ/RF応用に対する適切な候補である。Copyright The Author(s), under exclusive licence to Springer-Verlag GmbH, DE part of Springer Nature 2021 Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 界面 ,  最適化 ,  シミュレーション ,  電子密度 ,  *トランジスタ ,  *接合形トランジスタ ,  *非対称性 ,  伝導バンド ,  スペーサ ,  利得 ,  相互コンダクタンス ,  量子井戸
準シソーラス用語： 不純物散乱 ,  *ヘテロ構造 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 流体力学モデル ,  Electron速度 ,  相互コンダクタンス ,  アナログ/RF応用

分類 (3件)： 半導体-金属接触  (BM03084G) ,  トランジスタ  (NC03070N) ,  金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X)

タイトルに関連する用語 (9件)： Si ,  アナログ ,  RF ,  パラメータ ,  非対称 ,  スペーサ ,  ヘテロ構造 ,  SOI ,  接合トランジスタ