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J-GLOBAL ID:202202249311969699   整理番号:22A0229994

3MeV陽子照射Cu(In,Ga)Se_2およびCu_2(Zn,Sn)(S,Se)_4薄膜太陽電池の長期安定性と回復【JST・京大機械翻訳】

Long term stability and recovery of 3 MeV proton irradiated Cu(In,Ga)Se2 and Cu2(Zn,Sn)(S,Se)4 thin film solar cells
著者 (5件):
資料名:
巻: 741  ページ: Null  発行年: 2022年 
JST資料番号: B0899A  ISSN: 0040-6090  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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2017年に,Cu(In,Ga)Se_2(CIGS),Cu_2(Zn,Sn)S_4(CZTS)およびCu_2(Zn,Sn)(S,Se)_4(CZTSSe)薄膜太陽電池を,3MeV陽子を用いて著者らのグループによって照射し,材料の放射線硬度およびその後の暗貯蔵後の回復を調べた。一次損失は開回路電圧(V_OC)であり,CZTSとCZTSSeはCIGSよりも抵抗が高く,2カ月の暗所貯蔵後のCIGSの~70%と比較して初期性能の約95%まで回復することが観察された。2021年に,セルを外部量子効率と電流-電圧測定により再び調べ,更なる回復を調べた。CIGSセルは回復を続けたが,CZTSSeデバイスは放射線誘起損傷から完全に回復したが,時効関連劣化に悩まされ,時間とともにわずかなバンドギャップ拡大を示した。CZTSセルは放射線誘起損傷から完全に回復することが観察されたが,V_OCの利得も示した。Copyright 2022 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (1件):
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太陽電池 

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