文献

J-GLOBAL ID：202202249403424129   整理番号：22A0799219

高水素発生反応活性のための(106)の新しい結晶成長面を有するMoリッチrGO-2H-MoSe_2ナノ複合材料【JST・京大機械翻訳】

Mo-rich rGO-2H-MoSe₂ nanocomposites with novel crystal growth plane of (106) for high hydrogen evolution reaction activity

著者 (3件)： Salehi Samira (Department of Physics, Faculty of Science, Vali-e-Asr University of Rafsanjan, Rafsanjan, Iran) ,  Molaei Mehdi (Department of Physics, Faculty of Science, Vali-e-Asr University of Rafsanjan, Rafsanjan, Iran) ,  Karimipour Masoud (Department of Physics, Faculty of Science, Vali-e-Asr University of Rafsanjan, Rafsanjan, Iran)
資料名： Materials Science in Semiconductor Processing  (Materials Science in Semiconductor Processing)
巻： 142  ページ： Null  発行年： 2022年 
JST資料番号： W1055A  ISSN： 1369-8001  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,2H-MoSe_2ナノシートの新しい結晶成長面を有するMoSe_2還元酸化グラフェン(rGO)ナノ複合材料を,水素発生反応(HER)の強化のための作用電極として修飾した。Versaileキャラクタリゼーションは,テンプレートとしてrGOがMoSe_2ナノシートの結晶成長を(106)原子面へ発展させ,同時に非晶質型構造を誘起することを明らかにした。XPS研究は,Mo3dピークの半最大幅(FWHM)特性と,Se3dの0.4~0.6eVシフトが,欠陥MoSe_2ナノシートをもたらす,Mo3dピークと0.4~0.6eVシフトの,rGO-MoSe_2構造におけるMoリッチ構造とMo6+酸化状態の寄与の増加を同定した。分極測定研究は,HERのJ=100mAcm-2で,49mVの小さいTafel勾配,52mVの開始電位,および271mVの低い過電圧を明らかにした。さらに,MoSe_2とrGOの重量比は,HER活性におけるナノ複合材料のサイクル安定性において重要な役割を持つことが分かった。Copyright 2022 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *結晶成長 ,  電位 ,  分極 ,  過電圧 ,  テキスチャード加工 ,  非晶質 ,  X線光電子分光法 ,  *水素発生反応 ,  FWHM ,  ナノ複合材料 ,  ナノシート
準シソーラス用語： 酸化状態 ,  作用電極 ,  質量比 ,  *還元型酸化グラフェン , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： モリブデンリッチ ,  MoSe_2ナノシート ,  X線光電子分光法 ,  結晶テクスチャリング ,  水素発生反応

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  固体デバイス材料  (NC03020K)

タイトルに関連する用語 (6件)： 水素発生反応 ,  活性 ,  結晶成長 ,  Mo ,  RGO ,  ナノ複合材料