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J-GLOBAL ID：202202249534124090   整理番号：22A0434102

SCC-DFTB計算による可能なSi二重壁ナノチューブ(n in,m in)@(6,m out)(n=3,4)の安定なナノチューブ構築条件と電子特性【JST・京大機械翻訳】

Stable nanotube construction conditions and electronic properties of possible Si double-walled nanotubes (n _in,m _in)@(6,m _out) (n _in =3, 4) by SCC-DFTB calculations

著者 (6件)： Wu Lijun (School of Science, Shenyang Ligong University, Shenyang, 110159, China) ,  Han Yan (School of Science, Shenyang Ligong University, Shenyang, 110159, China) ,  Li Wu (School of Science, Shenyang Ligong University, Shenyang, 110159, China) ,  Chen Shangfeng (School of Science, Shenyang Ligong University, Shenyang, 110159, China) ,  Zhao Qian (Department of Science, Shenyang University of Technology, Shenyang, 110870, China) ,  Shen Longhai (School of Science, Shenyang Ligong University, Shenyang, 110159, China)
資料名： Materials Chemistry and Physics  (Materials Chemistry and Physics)
巻： 277  ページ： Null  発行年： 2022年 
JST資料番号： E0934A  ISSN： 0254-0584  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 二重壁シリコンナノチューブ(DWSiNTs)(n_in,m_in)@(6,m_out)(n_in=3,4,m_in=0からn_in,m_out=0~6)の幾何学的構造最適化と電子特性を,自己無撞着電荷密度関数強束縛(SCC-DFTB)法に関して研究した。安定なDWSiNTを形成できる初期モデルの適切な間隔範囲を調べた。大部分のナノチューブは,それらの断面構成の円形形状を示した。DWSiNTが同じキラル角,0または30度を有するとき,その内側および外側壁において,規則的周期構造が発達した。結合長さ,内部および外壁直径,および壁間隔も,キラル指数の変化によって著しく影響を受けた。ナノチューブの安定性は,原子配列の配置,直径,および規則性の3つの因子によって影響を受ける。内壁における電子は外壁に転送され,外壁管中の原子の電子分布は,電子捕獲と電子放出領域の間隔の領域分布を有する。完全に整合した内側と外側の壁を有する7つのチューブの中で,DWSiNTs(3,2)@(6,4)は半金属特性を示した。他は狭いバンドギャップを持つ半導体様特性を示す。DWSiNTsのバンドギャップはキラリティ指数を調整することによって変化し,ナノチューブの直接と間接バンドギャップ間の遷移をもたらし,異なるデバイスの性能要求に適合するように調整でき,金属-半導体転移と直接間接バンドギャップ遷移を誘起した。これらの理論的研究は,DWSiNTsの調製と将来の応用に対する参照を提供する。Copyright 2022 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 電子捕獲 ,  半導体 ,  計算機シミュレーション ,  *ケイ素 ,  規則度 ,  金属性 ,  *二重壁 ,  バンドギャップ ,  構造最適化 ,  *ナノチューブ ,  金属-半導体転移
準シソーラス用語： キラリティ ,  電荷密度 ,  原子配列 ,  間接バンドギャップ , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： Si ,  ナノチューブ ,  計算機シミュレーション ,  SCC-DFTB ,  二重壁 ,  バンド構造

分類 (3件)： 炭素とその化合物  (YB02060D) ,  その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A) ,  無機化合物一般及び元素  (CD01010D)

タイトルに関連する用語 (7件)： SCC ,  計算 ,  Si ,  二重壁 ,  ナノチューブ ,  構築 ,  電子