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J-GLOBAL ID：202202249592631290   整理番号：22A1083294

キャップHf_0.5Zr_0.5O_2極薄エピタキシャルトンネル障壁の増強電気抵抗耐久性【JST・京大機械翻訳】

Enhanced electroresistance endurance of capped Hf_0.5Zr_0.5O₂ ultrathin epitaxial tunnel barriers

著者 (7件)： Long Xiao (Institut de Ciencia de Materials de Barcelona (ICMAB-CSIC), Campus UAB, Bellaterra, Catalonia 08193, Spain) ,  Tan Huan (Institut de Ciencia de Materials de Barcelona (ICMAB-CSIC), Campus UAB, Bellaterra, Catalonia 08193, Spain) ,  Estandia Saul (Institut de Ciencia de Materials de Barcelona (ICMAB-CSIC), Campus UAB, Bellaterra, Catalonia 08193, Spain) ,  Gazquez Jaume (Institut de Ciencia de Materials de Barcelona (ICMAB-CSIC), Campus UAB, Bellaterra, Catalonia 08193, Spain) ,  Sanchez Florencio (Institut de Ciencia de Materials de Barcelona (ICMAB-CSIC), Campus UAB, Bellaterra, Catalonia 08193, Spain) ,  Fina Ignasi (Institut de Ciencia de Materials de Barcelona (ICMAB-CSIC), Campus UAB, Bellaterra, Catalonia 08193, Spain) ,  Fontcuberta Josep (Institut de Ciencia de Materials de Barcelona (ICMAB-CSIC), Campus UAB, Bellaterra, Catalonia 08193, Spain)
資料名： APL Materials (Web)  (APL Materials (Web))
巻： 10  号： 3  ページ： 031114-031114-7  発行年： 2022年 
JST資料番号： U7122A  ISSN： 2166-532X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 超薄Hf_0.5Zr_0.5O_2(HZO)膜における電気抵抗は,エレクトロニクスにおけるハフニア系強誘電体の実現に向けて重要である。ここでは,SrTiO_3またはGdScO_3上に成長した厚さ2.2nmのエピタキシャルHZO膜の大きなキャパシタ(~314μm2)の電気抵抗収率と耐久性を,1nmのSrTiO_3キャッピング層を用いて改良できることを示した。キャッピング層の主な役割は結晶粒界に沿った電荷輸送を最小化することであり,従って,多結晶膜において同様の戦略を探索することができると主張した。Copyright 2022 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *エピタクシー ,  強誘電体 ,  結晶粒界 ,  コンデンサ ,  *電気抵抗 ,  厚み ,  多結晶 ,  耐久性 ,  *ポテンシャル障壁 ,  電子技術
準シソーラス用語： Hafnia ,  電荷輸送 ,  キャップ層 ,  *トンネル障壁 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： 強誘電体,反強誘電体,強弾性  (BM05030B) ,  金属薄膜  (BK14030T) ,  酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (5件)： キャップ ,  エピタキシャル ,  トンネル障壁 ,  増強 ,  電気抵抗