文献

J-GLOBAL ID：202202249842510400   整理番号：22A1065065

SnSe_2層における電荷密度波と表面水素化の効果【JST・京大機械翻訳】

Charge density wave in a SnSe₂ layer on and the effect of surface hydrogenation

著者 (2件)： Tayran C. (Department of Physics, Gazi University, Ankara, Turkey. [e-mail]) ,  Cakmak M.
資料名： Physical Chemistry Chemical Physics  (Physical Chemistry Chemical Physics)
巻： 24  号： 11  ページ： 6820-6827  発行年： 2022年 
JST資料番号： A0271C  ISSN： 1463-9076  CODEN： PPCPFQ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： この表面および水素化に対するSnSe_2層の原子および電子構造の密度汎関数理論(DFT)を用いた研究を行った。走査トンネル顕微鏡(STM)測定が最近報告された表面周期性の対角方向に沿って配向した(2×2)SnSe_2超構造を考察した。バンド構造計算では,各SnSe_2層に由来するs-p特性表面状態を決定したが,Sn吸着原子による基本バンドギャップ領域に付加的半充填表面状態が存在した。BrillouinゾーンのM~点において,約0.1eVの電荷密度波(CDW)部分ギャップ開口がFermi準位に近いこれらの表面状態の間で起こる。ここでは,CDWギャップを2つの理由によって引き起こす。(i)Fermi面ネスティングは,M~点における不等価な電子ポケット,および(ii)平均場(MF)理論(2Δ/k_BTMF=3.52)による平面弱電子-フォノン結合様式の外にある。表面上の水素吸着により,約90°の結合角を有するβ相SnSe層とSeH_2分子を得た。水素化表面はSnSe_2層に関連した表面状態をSi投影バルクバンド連続体に押し込んだ。SeH_2脱着後,仕事関数は5.20eVから4.39eVに低下した。Copyright 2022 Royal Society of Chemistry All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： Brillouin帯 ,  原子 ,  仕事関数 ,  脱着 ,  電子構造 ,  *スズ ,  *水素化 ,  計算 ,  Fermi準位 ,  β相 ,  *電荷密度波 ,  密度汎関数法 ,  走査型トンネル顕微鏡 ,  バンドギャップ
準シソーラス用語： 超構造 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 物理的手法を用いた吸着の研究  (CB12043P) ,  表面の電子構造  (BM02080J)

タイトルに関連する用語 (2件)： 電荷密度波 ,  水素化