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J-GLOBAL ID：202202249938966569   整理番号：22A0227200

二重層ハニカム構造を有するAlSb単層における空格子点欠陥と置換ドーピングの研究:第一原理計算【JST・京大機械翻訳】

Investigation of vacancy defects and substitutional doping in AlSb monolayer with double layer honeycomb structure: a first-principles calculation

著者 (7件)： Bafekry A (Department of Radiation Application, Shahid Beheshti University, Tehran, Iran) ,  Faraji M (Micro and Nanotechnology Graduate Program, TOBB University of Economics and Technology, Sogutozu Caddesi No. 43 Sogutozu, 06560, Ankara, Turkey) ,  Karbasizadeh S (Department of Physics, Isfahan University of Technology, Isfahan, 84156-83111, Iran) ,  Jappor H R (Department of Physics, College of Education for Pure Sciences, University of Babylon, Hilla, Iraq) ,  Sarsari I Abdolhosseini (Department of Physics, Isfahan University of Technology, Isfahan, 84156-83111, Iran) ,  Ghergherehchi M (Department of Electrical and Computer Engineering, Sungkyunkwan University, 16419 Suwon, Republic of Korea) ,  Gogova D (Department of Physics, Chemistry and Biology, Linkoping University, 58183 Linkoping, Sweden)
資料名： Journal of Physics. Condensed Matter  (Journal of Physics. Condensed Matter)
巻： 34  号： 6  ページ： 065701 (11pp)  発行年： 2022年 
JST資料番号： B0914B  ISSN： 0953-8984  CODEN： JCOMEL  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 二重層ハニカム構造を有するAlSb単分子層の実験的知識は,この単分子層が最近合成された最近の出版(Le Qin et al 2021 ACS Nano158184)に基づいている。したがって,著者らの研究の目的は,新しい六方晶AlSb単分子層の電子および磁気特性に及ぼす置換ドーピングおよび空格子点点欠陥の影響を調査することである。実験報告に加えて,フォノンバンド構造と凝集エネルギー計算はAlSb単分子層の安定性を確認した。その直接バンドギャップは,バルク材料の1.6eVの値より小さいハイブリッド関数法によって0.9eVと見積もられた。空格子点欠陥と置換ドーパントの大部分は,半導体から金属へのAlSb単分子層の電子特性を変化させる。さらに,Mg_Sb不純物は材料への強磁性挙動の付加を示した。Alリッチ条件における形成エネルギーの計算を通して,V_Sbの空サイトが最も安定であるが,Sbリッチ環境においてはV_Alの点欠陥が標題になることを明らかにした。置換ドーパントについて生成エネルギーも計算し,欠陥構造の相対的安定性を示した。著者らは,種々の不純物を組込んだAlSb単層成長に関するそれらの努力に焦点を当てるために,多くの実験者を鼓舞するために,この理論的研究を行った。ここでは,欠陥工学が,先進ナノエレクトロニクス応用のための新しいAlSb二次元単層の性質を調整するための強力なツールであることを示した。Please refer to the publisher for the copyright holders. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 強磁性 ,  バンド構造 ,  *点欠陥 ,  半導体 ,  フォノン ,  不純物 ,  *ハニカム構造 ,  単分子層 ,  *ドーピング ,  六方晶系 ,  二次元 ,  ドーパント
準シソーラス用語： ナノエレクトロニクス ,  *第一原理計算 ,  直接バンドギャップ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 金属の格子欠陥  (BK12030F) ,  不純物・欠陥の電子構造  (BM02100I)

タイトルに関連する用語 (9件)： 二重層 ,  ハニカム構造 ,  単層 ,  空格子点 ,  欠陥 ,  置換 ,  ドーピング ,  研究 ,  第一原理計算