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J-GLOBAL ID：202202250003561940   整理番号：22A0836369

新しいK_0.4Rb_0.6Pb_2Cl_5結晶の成長とその電子および光学特性の理論的および実験的研究【JST・京大機械翻訳】

Growth of a novel K_0.4Rb_0.6Pb₂Cl₅ crystal and theoretical and experimental studies of its electronic and optical properties

著者 (14件)： Khyzhun O.Y. (Frantsevych Institute for Problems of Materials Science, National Academy of Sciences of Ukraine, 3 Krzhyzhanivsky Street, 03142, Kyiv, Ukraine) ,  Vu Tuan V. (Division of Computational Physics, Institute for Computational Science, Ton Duc Thang University, Ho Chi Minh City, Vietnam) ,  Vu Tuan V. (Faculty of Electrical & Electronics Engineering, Ton Duc Thang University, Ho Chi Minh City, Vietnam) ,  Lavrentyev A.A. (Department of Electrical Engineering and Electronics, Don State Technical University, 1 Gagarin Square, 344010, Rostov-on-Don, Russian Federation) ,  Gabrelian B.V. (Department of Computational Technique and Automated System Software, Don State Technical University, 1 Gagarin Square, 344010, Rostov-on-Don, Russian Federation) ,  Denysyuk N.M. (Frantsevych Institute for Problems of Materials Science, National Academy of Sciences of Ukraine, 3 Krzhyzhanivsky Street, 03142, Kyiv, Ukraine) ,  Isaenko L.I. (Laboratory of Functional Materials, Novosibirsk State University, 630090, Novosibirsk, Russian Federation) ,  Isaenko L.I. (Laboratory of Crystal Growth, V.S. Sobolev Institute of Geology and Mineralogy, SB RAS, 630090, Novosibirsk, Russian Federation) ,  Molokeev M.S. (Laboratory of Crystal Physics, Kirensky Institute of Physics, SB RAS, 660036, Krasnoyarsk, Russian Federation) ,  Molokeev M.S. (Research and Development Department, Kemerovo State University, Kemerovo, 650000, Russian Federation) ,  Goloshumova A.A. (Laboratory of Functional Materials, Novosibirsk State University, 630090, Novosibirsk, Russian Federation) ,  Goloshumova A.A. (Laboratory of Crystal Growth, V.S. Sobolev Institute of Geology and Mineralogy, SB RAS, 630090, Novosibirsk, Russian Federation) ,  Tarasova A.Y. (Laboratory of Functional Materials, Novosibirsk State University, 630090, Novosibirsk, Russian Federation) ,  Tarasova A.Y. (Laboratory of Crystal Growth, V.S. Sobolev Institute of Geology and Mineralogy, SB RAS, 630090, Novosibirsk, Russian Federation)
資料名： Optical Materials  (Optical Materials)
巻： 124  ページ： Null  発行年： 2022年 
JST資料番号： W0468A  ISSN： 0925-3467  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 光学品質K_0.4Rb_0.6Pb_2Cl_5結晶のBridgman法による成長の成功と,その結晶構造と電子および光学特性の決定について報告する。特に,本結果はK_0.4Rb_0.6Pb_2Cl_5結晶が単斜晶系空間群P2_1/cに結晶化し,単位格子パラメータは次の通りであることを示した。a=8.9484(2)Å,b=7.9802(2)Å,c=12.5359Å,およびβ=90.1220(10)°であった。K_0.4Rb_0.6Pb_2Cl_5結晶に対して,X線光電子分光法(XPS)を用いて,原子を構成するためのコア準位電子の結合エネルギーを測定し,原子価電子状態のエネルギー分布を明らかにした。XPS測定は,K_0.4Rb_0.6Pb_2Cl_5結晶表面の非常に低い吸湿性と3kVのAr+イオンによる衝撃を用いるときのPb2+イオンからPb0への部分変化を示す。構成原子と関連する電子状態の部分密度によるK_0.4Rb_0.6Pb_2Cl_5結晶の価電子帯と伝導バンドを充填する特異性を見つけるために,モデルK_0.5Rb_0.5Pb_2Cl_5固溶体を用いて交換相関ポテンシャルに対する異なるアプローチを適用した。著者らは,計算手順において,スピン-軌道結合およびHubbardパラメータU(TB-mBJ+U+SOCアプローチ)を含むTran-Blaha修正Becke-Johnson(TB-mBJ)ポテンシャルを用いるとき,実験および理論データの最も細かい一致を導いた。この理論的TB-mBJ+U+SOC結果は,K_0.5Rb_0.5Pb_2Cl_5が4.167eVのエネルギーバンドギャップを有する非直接材料であることを示唆する。K_0.5Rb_0.5Pb_2Cl_5の光学的性質をTB-mBJ+U+SOCモデル内の第一原理計算に基づいて理論的に詳細に解明した。Copyright 2022 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 空間群 ,  結合エネルギー ,  結晶化 ,  *光学的性質 ,  格子定数 ,  固溶体 ,  衝撃 ,  *結晶 ,  伝導バンド ,  価電子バンド ,  価電子 ,  内殻準位 ,  バンドギャップ ,  電子状態
準シソーラス用語： 第一原理計算 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 結晶成長 ,  ab initio計算 ,  X線光電子分光法 ,  電子構造 ,  光学特性

分類 (1件)： 無機化合物のルミネセンス  (BM08093J)

タイトルに関連する用語 (6件)： 結晶 ,  成長 ,  電子 ,  光学特性 ,  理論 ,  実験的研究