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J-GLOBAL ID：202202250006612764   整理番号：22A0948403

二次元スタネン:Electron-フォノン相互作用【JST・京大機械翻訳】

Two-dimensional stanene: Electron-phonon interaction

著者 (4件)： Insad Soukaina (LPHE, Modeling & Simulations, Faculty of Science, Mohammed V University in Rabat, Morocco) ,  Kanga N’goye Bre Junior (UFR of Science and Technology, Man University, Cote d’Ivoire) ,  Drissi Lalla Btissam (LPHE, Modeling & Simulations, Faculty of Science, Mohammed V University in Rabat, Morocco) ,  Drissi Lalla Btissam (CPM, Centre of Physics and Mathematics, Faculty of Science, Mohammed V University in Rabat, Morocco)
資料名： Materials Today: Proceedings  (Materials Today: Proceedings)
巻： 53  号： P3  ページ： 437-440  発行年： 2022年 
JST資料番号： W3531A  ISSN： 2214-7853  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 電子-フォノン相互作用を密度汎関数理論と多体摂動理論を用いて研究した。Brillouin帯(BZ)の高対称性線に沿った電子線幅と電子散乱速度の温度依存性,および電子散乱速度に対する音響および光学フォノンモードの寄与を決定し,面外横光モード(ZO)の全体的支配を明らかにした。Copyright 2022 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： Brillouin帯 ,  摂動論 ,  *相互作用 ,  対称性 ,  電子ビーム ,  電子-フォノン相互作用 ,  *フォノン ,  音響 ,  温度依存性 ,  *二次元 ,  電子散乱 ,  密度汎関数法
準シソーラス用語： 光学フォノン ,  線幅 ,  散乱速度 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： スタネン ,  ホットキャリア ,  Electron-フォノン ,  線幅 ,  散乱速度

分類 (2件)： ポーラロン,電子-フォノン相互作用  (BM02130P) ,  半導体と絶縁体の電気伝導一般  (BM03041P)

タイトルに関連する用語 (3件)： スタネン ,  フォノン ,  相互作用