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J-GLOBAL ID:202202250059786326   整理番号:22A0321872

シアノスピロビフルオレン系共役高分子電解質:合成と調整可能な不揮発性情報貯蔵性能【JST・京大機械翻訳】

Cyanospirobifluorene-based conjugated polyelectrolytes: Synthesis and tunable nonvolatile information storage performance
著者 (7件):
資料名:
巻: 163  ページ: Null  発行年: 2022年 
JST資料番号: B0690A  ISSN: 0014-3057  CODEN: EUPJA  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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新規可溶性シアノスピロビフルオレン系共役重合体を,2′,7′-ジブロモ-2,7-ビス(4′-シアノフェニル)-9,9′-スピロビフルオレン(M1),2,7-ビス(4,4,5,5-テトラメチル-1,3,2-ジオキサボロラン-2-イル)-9,9-ジオクチルフルオレン(M2)および2,7-ジブロモ-9,9-ビス(6-ブロモヘキシル)フルオレン(M3)のSuzukiカップリング共重合により合成した。単量体の最適比を選択する試みにおいて,異なる比率の単量体を有する共重合体をSuzukiカップリング反応により調製した。M1とM3の間の供給モル比は,PCSFBF-1,PCSFBF-2,PCSFBF-3およびPFBFにおいて,それぞれ1:0,3:1,1:1,1:3および0:1であった。最後の4つのポリマーを用いて,アセトニトリルの存在下で過剰の量のN-メチルイミダゾールと反応させ,高分子電解質PCSFF-1,PCSFF-2,PCSFF-3およびPFIFを与えた。高分子構造への剛直シアノスピロビフルオレン部分の導入は,得られた材料の熱安定性を著しく改良できた。製造したままのAl/PCSF/ITOデバイスは,1.95Vのスイッチオン電圧と-3.67Vのスイッチオフ電圧で,典型的な不揮発性の書き込み可能な情報貯蔵性能を示した。同様に,PCSFFベースデバイスはPCSFベースデバイスと同様の情報記憶性能を示した。観測したスイッチオン/オフ電圧はPCSFF-1に対して1.77/-3.34Vであった。PCSFF-2の1.57/-2.15V;PCSFF-3では1.70/2.39Vであった。シアノスピロビフルオレンユニットなしで合成したPFIFは,1.95Vのスイッチオン電圧で,不揮発性WORM(書込み-オン-リード-時間)型情報貯蔵性能を示した。電圧を受けると,これらの重合体は非常に興味深いフィラメント特性を示した。本研究は,得られた高分子中のイオン性官能基から生じる局所静電場による高分子材料の不揮発性情報貯蔵性能を調整する非常に有望な戦略を示した。Copyright 2022 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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高分子固体の物理的性質  ,  重縮合 
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