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J-GLOBAL ID：202202250091227173   整理番号：22A0316950

van der Waalsグラフェン/MoS_2ヘテロ構造:二軸歪の適用による電子特性とSchottky障壁の調整【JST・京大機械翻訳】

van der Waals graphene/MoS₂ heterostructures: tuning the electronic properties and Schottky barrier by applying a biaxial strain

著者 (7件)： Fang Qinglong (School of Science, Xi’an Polytechnic University, Xi’an, 710048, Shaanxi, China. [e-mail]) ,  Li Min ,  Zhao Xumei ,  Yuan Lin ,  Wang Boyu ,  Xia Caijuan ,  Ma Fei
資料名： Materials Advances  (Materials Advances)
巻： 3  号： 1  ページ： 624-631  発行年： 2022年 
JST資料番号： W6469A  ISSN： 2633-5409  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 第一原理計算を行い,グラフェン/MoS_2ヘテロ構造の電子特性と接触特性に及ぼす層間距離と二軸歪の影響を研究した。層間相互作用は弱くなり,グラフェン層からMoS_2層への電荷移動はグラフェン/MoS_2ヘテロ構造の層間距離の増加と共に減少し,Fermi準位の高エネルギー状態へのシフトをもたらした。n型Schottky障壁は,層間距離が3.209Å,3.346Å,3.482Å,および3.755Åのとき,Φ_SB,N値がそれぞれ0.647eV,0.568eV,0.509eV,および0.418eVであった。層間距離と電荷密度差はわずかに変化したが,グラフェン/MoS_2ヘテロ構造の電子構造は二軸歪を適用することにより明らかに変化した。-4%から+6%の二軸歪では,Φ_SB,Pはグラフェン/MoS_2ヘテロ構造で徐々に増加するが,Φ_SB,Nは最初増加し,その後減少した。さらに,Φ_SB,Nは+6%の二軸歪下で0.080eVであり,オーム接触はほぼ形成されることを示した。結果は,2Dヘテロ構造の物理的性質に及ぼす2軸歪の著しい影響を示した。Copyright 2022 Royal Society of Chemistry All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *Schottky障壁 ,  電荷移動 ,  電子構造 ,  密度 ,  物理的性質 ,  Fermi準位 ,  *素子構造 ,  電荷分布 ,  N値 ,  二次元 ,  Ohm接触 ,  層間隔 ,  *グラフェン
準シソーラス用語： 電荷密度 ,  *ヘテロ構造 ,  第一原理計算 ,  層間相互作用 ,  *二軸ひずみ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： 半導体-金属接触  (BM03084G) ,  無機化合物一般及び元素  (CD01010D) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (6件)： VAN ,  グラフェン ,  ヘテロ構造 ,  二軸歪 ,  電子 ,  Schottky障壁