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J-GLOBAL ID：202202250125218126   整理番号：22A1100932

300mmSi基板上のモノリシック導波路集積IV族多重量子井戸光検出器【JST・京大機械翻訳】

Monolithic Waveguide-Integrated Group IV Multiple-Quantum-Well Photodetectors on 300 mm Si Substrates

著者 (7件)： Wang Haibo (Department of Electrical and Computer Engineering, National University of Singapore, Singapore) ,  Chen Yue (Department of Electrical and Computer Engineering, National University of Singapore, Singapore) ,  Zhang Gong (Department of Electrical and Computer Engineering, National University of Singapore, Singapore) ,  Zhang Jishen (Department of Electrical and Computer Engineering, National University of Singapore, Singapore) ,  Xu Haiwen (Department of Electrical and Computer Engineering, National University of Singapore, Singapore) ,  Huang Yi-Chiau (Applied Materials Inc., Sunnyvale, CA, USA) ,  Gong Xiao (Department of Electrical and Computer Engineering, National University of Singapore, Singapore)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 69  号： 4  ページ： 2166-2172  発行年： 2022年 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 2μm波長検出とオプトエレクトロニック集積回路のための300mmSiウエハ上のモノリシック導波路集積Ge_0.92Sn_0.08/Ge多重量子井戸(MQW)光検出器(PD)を報告する。GeSn吸収層とSi基板の間のバッファ層としてGe層を利用して,Ge-on-Si格子結合器と光結合と透過のための導波路を実現し,光を導波路から直接上部GeSn吸収層にエバネセントに結合させ,応答性を高めた。この導波路PDは,GeSn PDの中で3.6×10-2A/cm2の最低暗電流密度と47.4mA/Wの高い2μm応答性を示し,同じ吸収構造を用いた表面照射モードと比較して,応答性の3倍の増強を提供した。これらの有望な結果は,より高価なシリコンオンインシュレータ(SOI)ウエハの使用と共に,データ通信,赤外センシングおよびイメージングのような巨大な新たな応用を可能にする2μm波長で,高性能,小型,および堅牢なオプトエレクトロニクス統合システムを実現するための,費用対効果の高い,大規模製造可能および補完的金属-オキシド-半導体(CMOS)互換性のある解決策を提供するための著者らのアプローチの可能性を示す。Copyright 2022 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 集積回路 ,  赤外線 ,  半導体 ,  *光検出器 ,  応答特性 ,  互換性 ,  ゲルマニウム ,  酸化物 ,  波長 ,  画像処理 ,  暗電流 ,  オプトエレクトロニクス ,  *導波路 ,  ロバスト性 ,  バッファ層

分類 (1件)： 光導電素子  (NC03083X)

タイトルに関連する用語 (4件)： 導波路 ,  集積 ,  多重量子井戸 ,  光検出器