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J-GLOBAL ID:202202250176174195   整理番号:22A1082411

スピントロニクス応用のためのβ-タングステン膜における成長依存構造秩序化と安定性【JST・京大機械翻訳】

Growth-dependent structural ordering and stability in β-tungsten films for spintronic applications
著者 (7件):
資料名:
巻: 131  号: 12  ページ: 125301-125301-7  発行年: 2022年 
JST資料番号: C0266A  ISSN: 0021-8979  CODEN: JAPIAU  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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タングステンのβ相は,他の元素固体および大きなスピン-軌道トルクと比較して,そのより高いスピンHall角のため,スピントロニクス応用に対して大きな興味を引きつけたが,この相の安定性は,主に膜厚,温度,および全体的成長条件に基づく文献にある。スパッタ蒸着による膜の成長は,現在のスピントロニクス技術との適合性により,β-Wを達成するための有望な技術として浮上している。ここでは,圧力,パワー,および堆積時間のような一連の堆積パラメータを変えて,室温で約180nmの厚さまで安定なβ-W膜を成長するためのdcマグネトロンスパッタリングの効率的な能力を実証し,種々の基礎となる機構を議論した。これらの結果から,成長β-W膜の堆積パラメータの最適化セットを示した。β-Wの原子構造における酸素の影響の明確な理解を,膜厚を変えることによって得た。これはab initio分子動力学(MD)シミュレーションから確認され,そこでは原子構造が酸素ドーピング濃度により影響される。酸素の制御されたドーピングによって安定な多結晶β相を達成できた。さらに,酸素のドーピングによるαからβへの相転移もMDシミュレーションで明らかである。Copyright 2022 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (3件):
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
金属薄膜  ,  酸化物薄膜  ,  誘電体一般 

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