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J-GLOBAL ID：202202250253669728   整理番号：22A0829698

強誘電体で同調したWS_2/Si構造に基づく高感度赤外光電検出【JST・京大機械翻訳】

High-Sensitivity Infrared Photoelectric Detection Based on WS₂/Si Structure Tuned by Ferroelectrics

著者 (5件)： Zheng Diyuan (State Key Laboratory of Advanced Optical Communication Systems and Networks, School of Physics and Astronomy, Key Laboratory for Thin Film and Microfabrication Technology of the Ministry of Education Research Institute of Micro/Nano Science and Technology, Shanghai Jiao Tong University, 8...) ,  Dong Xinyuan (State Key Laboratory of Advanced Optical Communication Systems and Networks, School of Physics and Astronomy, Key Laboratory for Thin Film and Microfabrication Technology of the Ministry of Education Research Institute of Micro/Nano Science and Technology, Shanghai Jiao Tong University, 8...) ,  Lu Jing (National Engineering Research Centre for Nanotechnology, No. 28 East Jiangchuan Road, Shanghai, 200241, P. R. China) ,  Niu Yiru (State Key Laboratory of Advanced Optical Communication Systems and Networks, School of Physics and Astronomy, Key Laboratory for Thin Film and Microfabrication Technology of the Ministry of Education Research Institute of Micro/Nano Science and Technology, Shanghai Jiao Tong University, 8...) ,  Wang Hui (State Key Laboratory of Advanced Optical Communication Systems and Networks, School of Physics and Astronomy, Key Laboratory for Thin Film and Microfabrication Technology of the Ministry of Education Research Institute of Micro/Nano Science and Technology, Shanghai Jiao Tong University, 8...)
資料名： Small  (Small)
巻： 18  号： 7  ページ： e2105188  発行年： 2022年 
JST資料番号： W2348A  ISSN： 1613-6810  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 明確な光学的および電気的特性を有する典型的な遷移金属ジカルコゲン化物の1つとして,WS_2はオプトエレクトロニックデバイスに対して大きな可能性を示す。しかし,その固有バンドギャップ範囲は赤外領域における応用を制限する。このドローバックを克服し,感度を改善するために,P(VDF-CTFE)を強誘電体ゲートとして用いて,WS_2/Si接合の状態を制御し,強化された赤外光検出を達成した。分極電場は,吸収波長(405~1550nm)の範囲を広げるだけでなく,横方向光起電力効果(LPE)(198.6から503.2mVmm-1)の感度を大きく促進した。この現象は,WS_2バンドギャップの減少と接合界面でのポテンシャル障壁の変化に起因する。一方,キャリア初期運動エネルギーの増加により,応答速度は著しく改善された。強誘電体同調LPEのためのこの新しいスキームは,高感度,超高速,および安定な赤外光検出を実現するための道を開く。Copyright 2022 Wiley Publishing Japan K.K. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 感度 ,  *強誘電体 ,  *赤外線 ,  電場 ,  分極 ,  電気的性質 ,  波長 ,  *同調 ,  運動エネルギー ,  ポテンシャル障壁 ,  二次元 ,  光起電力効果 ,  バンドギャップ
準シソーラス用語： 接合界面 ,  光電子デバイス , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 2D材料 ,  強誘電体 ,  赤外光電検出 ,  横方向光起電力効果

分類 (3件)： 測光と光検出器一般  (BD07031F) ,  炭素とその化合物  (YB02060D) ,  分析機器  (CC02020S)

タイトルに関連する用語 (5件)： 強誘電体 ,  同調 ,  Si ,  高感度 ,  赤外光