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J-GLOBAL ID：202202250411969149   整理番号：22A1115108

高出力電子デバイス用の炭素系フィラー強化Si_3N_4複合材料における最近の進歩と展望【JST・京大機械翻訳】

Recent advances and perspectives in carbon-based fillers reinforced Si₃N₄ composite for high power electronic devices

著者 (16件)： Saleem Adil (College of Mechatronics and Control Engineering, Shenzhen University, Shenzhen, 518060, China) ,  Saleem Adil (College of Physics and Optoelectronic Engineering, Shenzhen University, Shenzhen, 518060, China) ,  Iqbal Rashid (College of Physics and Optoelectronic Engineering, Shenzhen University, Shenzhen, 518060, China) ,  Iqbal Rashid (Institute for Advanced Study, Shenzhen University, Shenzhen, 518060, Guangdong, China) ,  Hussain Arshad (College of Physics and Optoelectronic Engineering, Shenzhen University, Shenzhen, 518060, China) ,  Hussain Arshad (Institute for Advanced Study, Shenzhen University, Shenzhen, 518060, Guangdong, China) ,  Javed Muhammad Sufyan (School of Physical Science and Technology, Lanzhou University, Lanzhou, 730000, China) ,  Ashfaq M. Zeeshan (School of Materials Science and Engineering, Shandong University, Jinan, 250061, China) ,  Imran Muhammad (Department of Chemistry, Faculty of Science, King Khalid University, Abha, 61413, Saudi Arabia) ,  Hussain M. Muzammal (College of Physics and Optoelectronic Engineering, Shenzhen University, Shenzhen, 518060, China) ,  Hussain M. Muzammal (Institute for Advanced Study, Shenzhen University, Shenzhen, 518060, Guangdong, China) ,  Akbar Abdul Rehman (College of Physics and Optoelectronic Engineering, Shenzhen University, Shenzhen, 518060, China) ,  Akbar Abdul Rehman (Institute for Advanced Study, Shenzhen University, Shenzhen, 518060, Guangdong, China) ,  Jun Shen (College of Mechatronics and Control Engineering, Shenzhen University, Shenzhen, 518060, China) ,  Jun Shen (College of Physics and Optoelectronic Engineering, Shenzhen University, Shenzhen, 518060, China) ,  Majeed Muhammad K. (State Key Laboratory of Catalysis, Dalian Institute of Chemical Physics, Chinese Academy of Sciences, Dalian, 116023, China)
資料名： Ceramics International  (Ceramics International)
巻： 48  号： 10  ページ： 13401-13419  発行年： 2022年 
JST資料番号： H0705A  ISSN： 0272-8842  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 文献レビュー  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 強化剤としての炭素系充填剤(CBFs)の新しい進歩は,優れた電気的,機械的,熱的性能を有する先進複合材料を得るための新しい特性と有望な応用により,世界的な注目を集めている。これらのCBF(カーボンナノチューブ(CNT),カーボンナノファイバ(CNFs),グラフェン,酸化グラフェン,グラファイト)はセラミック材料に重要であり,近代産業にとってより魅力的になる。セラミックマトリックス中のこれらの材料は,圧力および他の環境変化のためのセンサ材料として,機械的,熱的および電気伝導性のような種々の特性を強化することができる。この概観は,Si_3N_4セラミックの作製における最新の発展と,次世代電子パワーデバイスのためのSi_3N_4セラミックの構造的,機械的,熱的特性に及ぼすSiCとSiC_wの影響を紹介する。さらに,Si_3N_4セラミックの微細構造と全体性能に及ぼす製造方法,添加物組成と濃度,焼結パラメータなどの重要な側面を要約した。特に,Si_3N_4基板の製造に関する科学者と技術者の設計戦略と,初めての活性再生を提案し,広範囲に議論した。Copyright 2022 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 機械的性質 ,  焼結 ,  セラミック ,  熱伝導率 ,  微細構造 ,  複合材料 ,  *炭素 ,  グラファイト ,  炭化ケイ素 ,  熱特性 ,  導電性 ,  グラフェン
準シソーラス用語： パワーデバイス ,  *電子素子 ,  酸化グラフェン , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： Si_3N_4セラミックス ,  炭素系充填剤 ,  熱伝導率 ,  機械的性質 ,  高出力電子デバイス

分類 (2件)： セラミック・磁器の性質  (YC03030G) ,  セラミック・陶磁器の製造  (YC03020V)

タイトルに関連する用語 (7件)： 高出力 ,  電子デバイス ,  炭素 ,  フィラー ,  強化 ,  複合材料 ,  展望