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J-GLOBAL ID：202202250842223307   整理番号：22A0491359

ジメタロフラーレン分子磁石における単一ElectronLn-Ln結合軌道のイメージング【JST・京大機械翻訳】

Imaging the Single-Electron Ln-Ln Bonding Orbital in a Dimetallofullerene Molecular Magnet

著者 (6件)： Paschke Fabian (Department of Physics, University of Konstanz, 78457, Konstanz, Germany) ,  Birk Tobias (Department of Physics, University of Konstanz, 78457, Konstanz, Germany) ,  Avdoshenko Stanislav M. (Institute for Solid State Research, Leibniz Institute for Solid State and Materials Research (IFW Dresden), 01069, Dresden, Germany) ,  Liu Fupin (Institute for Solid State Research, Leibniz Institute for Solid State and Materials Research (IFW Dresden), 01069, Dresden, Germany) ,  Popov Alexey A. (Institute for Solid State Research, Leibniz Institute for Solid State and Materials Research (IFW Dresden), 01069, Dresden, Germany) ,  Fonin Mikhail (Department of Physics, University of Konstanz, 78457, Konstanz, Germany)
資料名： Small  (Small)
巻： 18  号： 3  ページ： e2105667  発行年： 2022年 
JST資料番号： W2348A  ISSN： 1613-6810  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 十分に高いブロッキング温度T_Bを有する化学堅牢な単一分子磁石(SMM)は,分子スピントロニクスまたは量子計算デバイスの実現のための重要なビルディングブロックである。このようなデバイス応用は電子輸送によるSMM分子の磁気システムへのアクセスを必要とし,これは主に金属電極の電子状態と磁気軌道の相互作用に依存する。ab initio計算と組み合わせた走査トンネル顕微鏡は,グラフェン表面に沈着したランタニド内包二金属フラーレン内の2つの4fイオン間の強磁性交換結合を仲介する単一電子分子軌道の非占有成分を直接取り扱うことを可能にする。単一電子金属-金属結合は輸送実験における分子磁性系への直接アクセスを提供し,分子スピントロニクスに必須な個々のジメタロフラーレンSMMのスピン系の研究および制御操作の道を開いた。Copyright 2022 Wiley Publishing Japan K.K. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 強磁性 ,  相互作用 ,  磁気 ,  *画像処理 ,  分子軌道 ,  ロバスト性 ,  走査型トンネル顕微鏡 ,  *フラーレン ,  電子状態 ,  スピントロニクス ,  グラフェン
準シソーラス用語： 単分子磁石 ,  ビルディングブロック ,  第一原理計算 ,  単一電子 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： エレクトロスプレー堆積 ,  グラフェン ,  金属フラーレン ,  走査トンネル顕微鏡法 ,  単一電子結合 ,  単一分子磁石

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (3件)： 分子磁石 ,  軌道 ,  イメージング