文献
J-GLOBAL ID:202202250845628071   整理番号:22A0160778

高い溶液加工性と高い熱安定性を有する半導性ナフタレンジイミド誘導体の側鎖エンジニアリング【JST・京大機械翻訳】

Side-group engineering of semiconducting naphthalene diimide derivatives with high solution-processability and high thermal stability
著者 (8件):
資料名:
巻: 100  ページ: Null  発行年: 2022年 
JST資料番号: W1352A  ISSN: 1566-1199  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
抄録/ポイント:
抄録/ポイント
文献の概要を数百字程度の日本語でまとめたものです。
部分表示の続きは、JDreamⅢ(有料)でご覧頂けます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
異なるN-フェニル二環側鎖基を有する一連の新しいナフタレンジイミド(NDI)半導体誘導体を合理的に設計し,合成した。5-テトラリニルおよび4-インダニル側鎖基を有する直交型NDI誘導体の溶解度は,6-テトラリニルおよび5-インダニル側鎖基を有する線形型NDI誘導体よりも2桁高いことが分かった。5-テトラリニル側鎖基を有する直交型NDI誘導体は,その高い溶解性(例えば,4g/100gジクロロベンゼン),高い熱安定性(例えば,最低相転移温度380°C),および高い垂直キャリア移動度(例えば,7×10-5cm2/V・sの空間-電流制限電流電子移動度)により,優れた溶液加工性を示した。したがって,有機半導体へのN-フェニル二環基の導入は,望ましい物理特性を達成するための非常に有望な設計戦略であることが確認された。Copyright 2022 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ(有料)でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。

準シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ(有料)でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
, 【Automatic Indexing@JST】
分類 (2件):
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
トランジスタ  ,  太陽電池 
物質索引 (1件):
物質索引
文献のテーマを表す化学物質のキーワードです

前のページに戻る