文献

J-GLOBAL ID：202202250950381674   整理番号：22A0430972

2D六方晶窒化ホウ素抵抗メモリの性能に及ぼす活性金属とホウ素空孔の共存の影響【JST・京大機械翻訳】

Effect of the coexistence of active metals and boron vacancies on the performance of 2D hexagonal boron nitride resistance memory

著者 (8件)： Ding Cheng (School of Electronic Information Engineering, Anhui University, Hefei, 230601, People’s Republic of China) ,  Dai Yuehua (School of Electronic Information Engineering, Anhui University, Hefei, 230601, People’s Republic of China) ,  Wang Feifei (School of Electronic Information Engineering, Anhui University, Hefei, 230601, People’s Republic of China) ,  Li Xing (School of Electronic Information Engineering, Anhui University, Hefei, 230601, People’s Republic of China) ,  Gao Jianhua (School of Electronic Information Engineering, Anhui University, Hefei, 230601, People’s Republic of China) ,  Yang Bin (School of Electronic Information Engineering, Anhui University, Hefei, 230601, People’s Republic of China) ,  Lu Wenjuan (School of Electronic Information Engineering, Anhui University, Hefei, 230601, People’s Republic of China) ,  Yang Fei (School of Electronic Information Engineering, Anhui University, Hefei, 230601, People’s Republic of China)
資料名： Vacuum  (Vacuum)
巻： 196  ページ： Null  発行年： 2022年 
JST資料番号： E0347A  ISSN： 0042-207X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 密度汎関数理論(DFT)を用いて,活性金属およびホウ素空孔(V_B)の存在下で六方晶窒化ホウ素(h-BN)に基づく抵抗記憶モデルの生成エネルギー,移動障壁および電子特性を計算するために第一原理計算を行った。交換相関汎関数のベンチマークと単層h-BNの計算パラメータに従って,SW-5577欠陥の分布状態を有する多層h-BN垂直スタックのモデルを提案した。4種の活性金属ドーパント(Ti,Ag,CuおよびNi)に対して,最低ドーパント形成エネルギー(DFEs)を有する置換サイト(S1)に対する優先性を同定し,特に最近接V_Bの生成を強化した。さらに,移動経路の初期位置への最も近い位置のTiドーパントの低濃度は,層間のV_Bの移動障壁を劇的に減少させる。最後に,同じ層の2つと3つのV_B近傍を有するTiドーパントは,抵抗モデルにおける電荷分布の改善のために導電性と伝導チャネルの形成を著しく改善し,それはDOSプロット,バンド分解電荷密度とBader電荷によって実証された。本研究は,h-BNベースのRRAMデバイスの合理的設計とデバイス最適化の理論的指針を提供できる。Copyright 2022 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 最適化 ,  電荷 ,  チタン ,  *ホウ素 ,  汎関数 ,  電荷分布 ,  *二次元 ,  ドーパント ,  密度汎関数法 ,  ベンチマーク ,  導電性
準シソーラス用語： 電荷密度 ,  第一原理計算 ,  ReRAM ,  *六方晶窒化ホウ素 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 第一原理 ,  DFT ,  h-BN ,  RRAM ,  ホウ素空孔

分類 (2件)： 半導体-金属接触  (BM03084G) ,  固体中の拡散一般  (BL06021L)

タイトルに関連する用語 (7件)： 2D ,  六方晶窒化ホウ素 ,  抵抗メモリ ,  活性金属 ,  ホウ素 ,  空孔 ,  共存