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J-GLOBAL ID：202202251019446599   整理番号：22A0182675

CVD成長2DWS_2の光電性能の酸素ドーピング濃度への依存性【JST・京大機械翻訳】

Dependence of the photoelectric performance of the CVD-grown 2D WS₂ on the oxygen-doping concentration

著者 (8件)： Jian Jiaying (School of Electronic Information and Engineering, Xi’an Technological University, Xi’an 710021, PR China) ,  Jian Jiaying (School of Mechanical Engineering, Northwestern Polytechnical University, Xi’an 710072, PR China) ,  Jian Jiaying (Shaanxi key Laboratory of Photoelectric Functional Materials and Devices, Xi’an Technological University, Xi’an 710021, PR China) ,  Nan Yaxin (Shaanxi key Laboratory of Photoelectric Functional Materials and Devices, Xi’an Technological University, Xi’an 710021, PR China) ,  Dong Pengfan (Shaanxi key Laboratory of Photoelectric Functional Materials and Devices, Xi’an Technological University, Xi’an 710021, PR China) ,  Feng Hao (Shaanxi key Laboratory of Photoelectric Functional Materials and Devices, Xi’an Technological University, Xi’an 710021, PR China) ,  Zuo Kangnian (Shaanxi key Laboratory of Photoelectric Functional Materials and Devices, Xi’an Technological University, Xi’an 710021, PR China) ,  Chang Honglong (School of Mechanical Engineering, Northwestern Polytechnical University, Xi’an 710072, PR China)
資料名： Journal of Alloys and Compounds  (Journal of Alloys and Compounds)
巻： 895  号： P2  ページ： Null  発行年： 2022年 
JST資料番号： D0083A  ISSN： 0925-8388  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 2次元遷移金属ジカルコゲン化物(2D TMDCs)は,それらのユニークな特性のため,ナノスケール電子および光電子デバイスの次世代のための候補材料と考えられている。しかし,2D TMDCの報告された光電性能は劇的に変化し,光電性能の変化の理由は不明である。本論文では,CVD成長WS_2に基づく光検出器の光電性能の変化のメカニズムを調べた。100μmのサイズを有する三角形単層WS_2をCVD法を採用することによりサファイア基板上に成長できることを見出した。さらに,単層WS_2は,中間体としてポリメタクリル酸メチル(PMMA)およびポリジメチルシロキサン(PDMS)を用いて,サファイア基板からSi/SiO_2基板上に移動できる。酸素ドーピングと硫化は,CVD成長WS_2の光応答性に大きな影響を与える。CVD成長2D WS_2の光応答性は酸素添加濃度だけでなく光波長にも依存する。CVD成長WS_2は,現在の実験条件下で酸素を含む。硫化はCVD成長WS_2の酸素ドーピング濃度を低下させるが,酸素ドーピングはそれを増加できる。CVD成長WS_2に基づく光検出器の光電性能の報告された差はドーピング濃度の差に起因する。Copyright 2022 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 光検出器 ,  *酸素 ,  硫化 ,  *濃度依存性 ,  *ドーピング ,  二次元 ,  化学蒸着 ,  単一層 ,  中間体
準シソーラス用語： 光応答 ,  サファイア基板 ,  ナノスケール ,  光電子デバイス ,  *光電気 ,  一酸化ケイ素 ,  遷移金属ダイカルコゲナイド , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： CVD成長単層WS_2 ,  光応答性 ,  酸素ドーピング ,  硫化 ,  酸素ドーピング濃度

分類 (1件)： 酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (6件)： CVD ,  成長 ,  光電 ,  酸素 ,  ドーピング ,  依存性