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J-GLOBAL ID：202202251071473532   整理番号：22A0965887

矩形領域上の圧電半導体の面外問題における電流に対する応力効果【JST・京大機械翻訳】

Stress effects on electric currents in antiplane problems of piezoelectric semiconductors over a rectangular domain

著者 (3件)： He Jialei (Piezoelectric Device Laboratory, School of Mechanical Engineering and Mechanics, Ningbo University, Ningbo, Zhejiang, China) ,  Du Jianke (Piezoelectric Device Laboratory, School of Mechanical Engineering and Mechanics, Ningbo University, Ningbo, Zhejiang, China) ,  Yang Jiashi (Department of Mechanical and Materials Engineering, The University of Nebraska-Lincoln, Lincoln, NE, USA)
資料名： Acta Mechanica  (Acta Mechanica)
巻： 233  号： 3  ページ： 1173-1185  発行年： 2022年 
JST資料番号： H0344B  ISSN： 0001-5970  CODEN： AMHCAP  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 圧電半導体の面外変形における応力誘起電位と移動電荷分布を研究した。圧電半導体の巨視的理論を用いた。二重三角級数解を矩形領域上の線形化問題に対して得,局所機械的負荷の下で電位障壁または井戸の形成を示した。電流-電圧関係と電流密度分布を得るために,COMSOLを用いて非線形数値解析を行った。結果は,応力誘起ポテンシャル障壁/井戸が電流分布と電流-電圧関係に影響することを示した。したがって,機械的負荷は,圧電半導体から作られるピエゾトロニクスデバイスの基礎である,体内の半伝導に影響を及ぼす。種々の物理的および幾何学的パラメータの影響を調べた。Copyright The Author(s), under exclusive licence to Springer-Verlag GmbH Austria, part of Springer Nature 2022 Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *圧電半導体 ,  *応力 ,  数値解析 ,  電圧 ,  電位 ,  *電流 ,  級数解 ,  電流分布 ,  電荷分布 ,  ポテンシャル障壁
準シソーラス用語： 幾何学的パラメータ ,  COMSOL ,  電流密度分布 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (5件)： 構造力学一般  (HD01000X) ,  絶縁材料  (NA04030W) ,  固体デバイス材料  (NC03020K) ,  圧電デバイス  (NC03110I) ,  破壊力学一般  (HC04010A)

タイトルに関連する用語 (3件)： 矩形 ,  圧電半導体 ,  応力効果