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J-GLOBAL ID：202202251161894096   整理番号：22A0478058

面内GeSnナノワイヤ成長のためのSn含有前駆体の研究【JST・京大機械翻訳】

Investigation of Sn-containing precursors for in-plane GeSn nanowire growth

著者 (8件)： Zheng Lulu (School of Physical Science and Technology, Ningbo University, Ningbo 315211, China) ,  Azrak Edy (GPM, Universite et INSA de Rouen, CNRS, Normandie Universite, 76801 Saint Etienne du Rouvray, France) ,  Gong Ruiling (School of Physical Science and Technology, Ningbo University, Ningbo 315211, China) ,  Castro Celia (GPM, Universite et INSA de Rouen, CNRS, Normandie Universite, 76801 Saint Etienne du Rouvray, France) ,  Duguay Sebastien (GPM, Universite et INSA de Rouen, CNRS, Normandie Universite, 76801 Saint Etienne du Rouvray, France) ,  Pareige Philippe (GPM, Universite et INSA de Rouen, CNRS, Normandie Universite, 76801 Saint Etienne du Rouvray, France) ,  Roca i Cabarrocas Pere (LPICM, CNRS, Ecole Polytechnique, Institut Polytechnique de Paris, Palaiseau 91128, France) ,  Chen Wanghua (School of Physical Science and Technology, Ningbo University, Ningbo 315211, China)
資料名： Journal of Alloys and Compounds  (Journal of Alloys and Compounds)
巻： 899  ページ： Null  発行年： 2022年 
JST資料番号： D0083A  ISSN： 0925-8388  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： GeSnナノワイヤ(NWs)の成長のためのSn触媒ナノ粒子(NP)の形成は,適切なSn含有前駆体の同定を必要とする。本研究では,Sn,SnO_2および酸化インジウムスズ(ITO)薄膜ならびにSnO_2ナノ粒子のような種々のSn含有前駆体を調べた。SnとSnO_2薄膜はNWsを生成しなかった。これは,触媒密度,ならびに非晶質層上の濡れがGeSn NWの成長に重要な役割を果たすことを明らかにした。逆に,Geナノ結晶(NC)をc-Si基板上に蒸着したITO薄膜から成長させた。結晶性Si基板上に界面SiO_x層が存在しないとき,良好な結晶性が得られた。最後に,SnO_2 NPを用いてGeSn NWを成長させた。それらの形態はアニーリング環境によって強く影響を受ける:異なる圧力または水素プラズマを有する水素雰囲気,後者が最良の結果を与える。GeSn NWのナノ構造と組成を詳細に調べた。これらの結果は,いくつかのタイプのSn含有材料内で面内Geナノ構造を成長させる道を開く。Copyright 2022 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 界面 ,  焼なまし ,  濡れ ,  薄膜 ,  *ゲルマニウム ,  *スズ ,  非晶質 ,  結晶度 ,  *前駆体 ,  酸化インジウムスズ ,  ナノ粒子 ,  ナノ結晶 ,  *ナノワイヤ
準シソーラス用語： 水素プラズマ ,  水素雰囲気 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： GeSnナノワイヤ ,  Sn薄膜 ,  SnO_2薄膜 ,  ITO薄膜 ,  SnO_2粒子

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  金属の結晶構造  (BK06000V)

タイトルに関連する用語 (5件)： ナノワイヤ ,  成長 ,  Sn ,  前駆体 ,  研究